TO-220封装 N沟道 600 V、0.085 Ohm typ.、30 A MDmesh M6 功率MOSFET
TO-220封装 N沟道100 V、0.013 Ohm typ.、45 A STripFET F7功率MOSFET
TO-220 封装 N沟道600 V、0.084 Ohm typ.、30A MDmesh DM6功率MOSFETT
新型STP50N65DM6 MDmesh-DM6 功率 MOSFET具有高漏源击穿电压和低开关损耗的特点,可提高电力系统的安全裕度,保证系统的高效可靠运行。
TO-220封装 N沟道100 V、0.0085 Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET
基于第二代、第三代碳化硅MOS技术的STPOWER ACEPACK DMT-32 功率模块产品
Parascan™ 可调谐集成电容器
8p2 Tunable capacitor 8p2可调电容器
USB Type-C控制器(具有short-to-VBUS保护)
USB Type-C控制器(带有Tx/Rx线路驱动器和BMC)
独立的USB PD控制器(带有Tx/Rx线路驱动器和BMC)
独立的USB PD控制器(具有short-to-VBUS保护)
独立USB PD控制器(具有短到VBUS保护)
TO-247封装 N沟道 600 V、105 mOhm typ.、22 A MDmesh M6 功率MOSFET
TO-247封装 N沟道 600 V、105 mOhm typ.、26 A MDmesh M6 功率MOSFET
TO-247封装 N沟道 600 V、0.085 Ohm typ.、30 A MDmesh M6 功率MOSFET
TO-247封装 N沟道600 V、0.084 Ohm typ.、30 A MDmesh DM6功率MOSFET
TO-247封装 N沟道 600 V、35 mOhm typ.、63 A MDmesh M6 功率MOSFET
TO-247-4封装 N沟道 600 V、35 mOhm typ.、63 A MDmesh M6 功率MOSFET
TO-247封装 N沟道 600 V、32 mOhm typ.、72 A MDmesh M6 功率MOSFET
支持Qi认证 A11拓扑的无线充电发射端数字控制器
用于佩戴设备及智能手表的无线充电发射端数字控制器
无线电池充电器发射器数字控制器
符合Qi标准的感应式无线充电器电源接收器,适用于100W应用