解决方案

  • STD105N10F7AG

    汽车级DPAK封装 N沟道100 V、6.8 mOhm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET

  • STD130N6F7

    DPAK封装 N沟道60 V、4.2 Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET

  • STD134N4F7AG

    汽车级DPAK封装 N沟道40 V、2.5 Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET

  • STD140N6F7

    DPAK封装 N沟道60 V、0.0031 Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET

  • STD170N4F7AG

    汽车级DPAK封装 N沟道40 V、2.2 8Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET

  • STD25N10F7

    DPAK封装 N沟道100 V、0.027 Ohm typ.、25 A STripFET F7功率MOSFET

  • STD30N10F7

    DPAK封装 N沟道100 V、0.02 Ohm typ.、35 A STripFET F7功率MOSFET

  • STD45N10F7

    DPAK封装 N沟道100 V、0.031 Ohm typ.、45 A STripFET F7功率MOSFET

  • STD46N6F7

    DPAK封装 N沟道60 V、0.021 Ohm typ.、15 A STripFET F7功率MOSFET

  • STD47N10F7AG

    汽车级DPAK封装 N沟道100 V、0.0125 Ohm typ.、45 A STripFET F7功率MOSFET

  • STD80N10F7

    DPAK封装 N沟道100 V、0.0125 Ohm typ.、70 A STripFET F7功率MOSFET

  • STD85N10F7AG

    汽车级DPAK封装 N沟道100V、0.0085 Ohm typ.、70A STripFET F7功率MOSFET

  • STDES-PFCBIDIR

    STDES-PFCBIDIR参考设计是一款完整的解决方案,面向基于SiC MOSFETS和STM32G474 MCU(已针对功率转换进行优化)的三相AC/DC和DC/AC应用。

  • STDES-VIENNARECT

    基于SiC MOSFETS和STNRG388A数字控制器的功率因数校正STDES-VIENNARECT解决方案,为工程师提供一种有助于创建和测试原型(不用于销售)的工具。查看我们的原理图和资源,帮助您实现自我设计.

  • STEVAL-IPFC02V1

    STEVAL-IPFC02V1功率因数校正参考设计以STNRGPF02数字控制器为基础,可实现逐周期电流调整与数字控制的灵活性相结合,确保了高功率因数和极低的电源谐波失真。

  • STEVAL-LLL008V1

    STEVAL-LLL008V1基于STF23N80K5和STL4N10F7功率MOSFET、LED控制器及sub-1GHz模块,具有高效率、低THD和待机功耗的特点,并为遥控型LED街道照明采用Mesh网络。

  • STEVAL-VP22201B

    STEVAL-VP22201B板基于带PWM控制的VIPer222高压转换器构建,可在整个输入和输出范围内提供低待机功耗以及很好的线路和负载调节率

  • STF100N10F7

    TO-220FP封装 N沟道100 V、0.0068 Ohm typ.、80 A STripFET F7功率MOSFET

  • STF100N6F7

    TO-220FP封装 N沟道60 V、4.6 mOhm typ.、46 A STripFET F7功率MOSFET

  • STF110N10F7

    TO-220FP封装 N沟道100 V、5.1 mOhm typ.、45 A STripFET F7功率MOSFET

  • STF140N6F7

    TO-220FP封装 N沟道60 V、0.0031 Ohm typ.、70 A STripFET F7功率MOSFET

  • STF140N8F7

    TO-220FP封装 N沟道80 V、3.5 mOhm typ.、64 A STripFET F7功率MOSFET

  • STF150N10F7

    TO-220FP封装 N沟道100 V、0.0036 Ohm typ.、65 A STripFET F7功率MOSFET

  • STF16N60M6

    TO-220FP封装 N沟道 600 V、0.29 Ohm typ.、12 A MDmesh M6 功率MOSFET

  • STF24N60M6

    TO-220FP封装 N沟道 600 V、105 mOhm typ.、22 A MDmesh M6 功率MOSFET

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