PowerFLAT 5x6封装 N沟道60 V、0.0024 mOhm typ.、140 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 5x6 HV封装 N沟道 600 V、0.29 Ohm typ.、22 A MDmesh M6 功率MOSFET
600V STL16N60M6采用PowerFLAT 5x6 HV封装，结合了优化的电容曲线和低栅极电荷(Qg)，确保高效率和增加功率密度。
汽车级PowerFLAT 5x6封装 N沟道40 V、1.68 mOhm typ.、120 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 5x6 double island封装双 N沟道100 V、0.065 Ohm typ.、5 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 3.3x3.3封装 N沟道60 V、0.0046 Ohm typ.、20 A STripFET F7功率MOSFET
汽车级PowerFLAT 5x6封装 N沟道40 V、1.3 mOhm typ.、120 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 5x6封装 N沟道60 V、0.0012 Ohm typ.、260 A STripFET F7功率MOSFET
汽车级PowerFLAT 5x6封装 N沟道60 V、1.2 mOhm typ.、120 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 5x6封装 N沟道100 V、0.027 Ohm typ.、8 A STripFET F7功率MOSFET
STL33N60DM6采用外形紧凑且热效率高的PowerFLAT 8x8 HV封装，结合其优化的寿命限制制程和低开关损耗，提高了全桥和半桥拓扑的效率并节省了空间。
PowerFLAT 5x6 double island封装双 N沟道60 V、0.023 Ohm typ.、36 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 2x2封装 N沟道100 V、0.062 Ohm typ.、4 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 5x6封装 N沟道60 V、0.02 Ohm typ.、10 A STripFET F7功率MOSFET
汽车级PowerFLAT 5x6封装 N沟道100 V、20 mOhm typ.、18 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 3.3x3.3封装 N沟道100 V、0.062 Ohm typ.、4.5 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 5x6 double island封装双 N沟道60 V、9 mOhm typ.、57 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 5x6封装 N沟道60 V、9 mOhm typ.、60 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 5x6封装 N沟道100 V、0.013 Ohm typ.、12 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 3.3x3.3封装 N沟道100 V、0.027 Ohm typ.、7 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 2x2封装 N沟道60 V、0.019 Ohm typ.、7 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 3.3x3.3封装 N沟道100 V、0.017 Ohm typ.、35 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 3.3x3.3封装 N沟道60 V、0.019 Ohm typ.、8 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 5x6封装 N沟道100 V、0.007 Ohm typ.、70 A STripFET F7功率MOSFET
PowerFLAT 5x6封装 N沟道60 V、0.0046 Ohm typ.、90 A STripFET F7功率MOSFET
