ST 针对充电桩这类大功率，高功率密度，高可靠性并面临巨大成本压力的应用，可以提供低内阻，低寄生电容的Mosfet，VF和反向恢复特性优化的快恢复二极管。对于成本压力较大的方案，ST还可以提供新一代的IGBT器件;对于需要进一步提升功率密度的方案，ST还拥有先进的高可靠性的SiC Mosfet和二极管可供选择。

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