当前位置:首页 > 电源 > 功率器件
[导读]在过去几年中,越来越多的笔记本电脑和智能手机等门户设备采用 USB Type-C™ 作为接口端口。USB Type-C 连接器是一种全新的 USB 连接器。

1.前言

在过去几年中,越来越多的笔记本电脑和智能手机等门户设备采用 USB Type-C™ 作为接口端口。USB Type-C 连接器是一种全新的 USB 连接器。它具有一组出色的外形、额定功率和数据传输速度改进。除了它的万兆每秒(Gbps)带宽和交替模式视频功能之外,还有两个非常有价值的优点:可正反插的插头和智能大功率功能。可正反插的插头的价值显而易见:我们终于可以轻松接入设备,而不必翻转插头(通常需要两次)。但这个充电协议最重要的变化是 USB Type-C 引入了一个新引脚,即配置通道 (CC) 引脚,用于在不同设备之间进行协商。

2.如何对USB接口进行保护

传统适配器使用 D+/D- 线在两个设备之间执行握手。最常见的传统适配器,如图 1 所示,通常有一个 Type A 端口作为输出,以便不同的电缆可以匹配不同的手机;例如,Android 手机的 A-uB 数据线,iPhone 的 A-lighting 数据线等。USB Type-C 也有 AC 数据线,因此可以通过传统适配器进行充电。

1:传统 USB 适配器

为了给用户提供最佳的使用体验,一些USB Type-C产品制造商设计了他们的USB Type-C产品,以支持通过CC的新USB Type-C充电协议以及现有的充电协议。在当前的 USB 产品中使用 D+/D-,某些充电协议不能用于 USB Type-C 连接器(请参阅 USB Type-C 电缆和连接器规范,修订版 1.2 的第 4.8 节)。

问题就在这里。USB Type-C 连接器具有与传统适配器兼容的 AC 电缆,并且 USB Type-C 插头内有一个内部上拉电阻 (Rp)(请参阅 USB Type-C 规范的第 3.5 节)以启用检测 USB Type-C 设备。一旦V BUS 上存在直流电压,并且USB Type-C 插头插入USB Type-C 设备,V BUS将拉高CC 引脚的电压电平以通知USB Type-C 控制器,如图所示在图 2 中。

2:传统适配器到 USB Type-C 产品连接

USB Type-C连接器即使不兼容QC等快充协议,上述不规范的USB Type-C产品也会支持这些高压协议。在这种情况下,通过 D+/D- 线与传统适配器成功握手后,V BUS可能会增加到 9V 或 12V。该高压将通过 Rp 施加到 USB Type-C 控制器的 CC 引脚。不幸的是,最常见的 USB Type-C 控制器无法处理如此高的电压,因为它超出了 USB Type-C 规范。为了防止 USB Type-C 控制器在通过 Rp 绑定到 VBUS 的情况下损坏,需要兼容的 USB Type-C 设备。

保护 USB Type-C 控制器的一种简单方法是在 USB Type-C 控制器的 CC 引脚和地之间添加一个齐纳二极管。该齐纳二极管可以将 CC 线的电压钳位在安全范围内。但我需要强调两点:

· 齐纳二极管的钳位电压应高于 CC 引脚的正常电压,低于最大额定电压。但由于齐纳二极管的击穿电压总是随其自身的电流(在这种情况下,与 V BUS电压成正比)和温度而变化,因此选择合适的齐纳二极管并不容易。

· 通过齐纳二极管从 V BUS 流到地的电流会带来额外的损耗。在最坏的情况下,此电流可能高达几毫安(假设 V BUS可能高达 20V 且 Rp 低于 10KOhm )。

另一种保护 USB Type-C 控制器的方法是使用阻塞场效应晶体管 (FET),在图 3 中标记为 QB,QB 将 USB Type-C 控制器与 V BUS隔离。QB 插入 USB Type-C 插座和 USB Type-C 控制器之间。当 USB Type-C 插座的 CC 引脚发生过压事件时,它可以关闭,以便 USB 供电控制器不会看到如此高的电压。然而,这会带来一个额外的路径,包括一个下拉电阻(图 3 中的 RD)及其控制 FET(图 3 中的 QD)。如果电池没电,QD 将开启以在 CC 引脚上执行 RD。QD 的附加逻辑电路也可能会牺牲一些电路板空间。

一个不错的选择是采用 USB Type-C 端口保护集成电路 (IC),例如 TPD2S300,它集成了 USB Type-C 设备所需的所有功能。该 IC 不需要额外的保护和逻辑电路。还集成了静电放电 (ESD) 保护。图 3 显示了使用 TPD2S300 的典型电路。

3:CC 引脚的 TPD2S300 电路

为了保护 USB Type-C 设备(例如移动电源或智能手机)免受市场上不规则适配器或充电器的影响,需要使用齐纳二极管、阻塞 FET 或保护 IC 对 USB Type-C 端口进行额外保护。



本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

为物联网应用选择电子元件的两个关键标准是功率预算和性能。自从电子产品问世以来,就一直在这两者之间进行权衡——要么获得最佳功耗,要么获得最高性能。根据应用程序,系统架构师对系统中的不同组件有不同的要求。例如,系统可能需要高...

关键字: 物联网功耗 SRAM

尽管输出电压随负载的变化在美学上令人不快,但该模型相对于前一个模型的优势是巨大的。它包含相同限制之间的输出电压,具有几乎两倍的 ESR,并且当我们将它们与允许的偏差进行比较时,误差源和纹波电压会变小,这通常是这种情况。将...

关键字: 开关电源 瞬态响应

开关电源通常具有严格的静态调节规范。使用广泛可用的精密基准,我们无需任何初始调整即可在工作温度范围内轻松实现 ±1% 的精度。我们还必须处理电源的动态调节规范,制造商通常将其指定为瞬态负载的最大允许偏差,该瞬态负载具有规...

关键字: 开关电源 瞬态响应

在阈值电压或低于阈值电压时,EPAD MOSFET 在称为亚阈值区域的工作区域中表现出关断特性。这是 EPAD MOSFET 传导通道根据施加的栅极电压快速关闭的区域。由栅电极上的栅电压引起的沟道呈指数下降,因此导致漏极...

关键字: 超低压 MOSFET 低功耗设计

ALD1148xx/ALD1149xx 产品是耗尽型 EPAD MOSFET,当栅极偏置电压为 0.0V 时,它们是常开器件。耗尽模式阈值电压处于 MOSFET 器件关断的负电压。提供负阈值,例如 –0.40V、-1.3...

关键字: 超低压 MOSFET 低功耗设计

寻求在电路设计中实现更低的工作电压和更低的功耗水平是一种趋势,这给电气工程师带来了艰巨的挑战,因为他们遇到了基本半导体器件特性对他们施加的限制。长期以来,工程师们一直将这些特性视为基本特性,并可能阻止他们最大限度地扩大可...

关键字: 超低压 MOSFET 低功耗设计

所以,我想说这个概念是完全可扩展的。因此,我们可以为低功率制作非常高的 RDS (on) 部件,或为高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通过简单地重塑设计,它可以扩展到低电压,但这个概念是成立的。这就是我们基本上...

关键字: 氮化镓 功率器件

如今,无论生活亦或是工作环境中都充斥着大量不同频率的电磁场,各个电子、电气设备在同一空间中同时工作时,总会在它周围产生一定强度的电磁场,比如电视发射台、固定或移动式无线电发射台以及各种工业辐射源产生的电磁场。

关键字: 射频抗扰度测试 功率放大器

罗德与施瓦茨宣布进入源测量单元 (SMU) 市场,推出两款新仪器,用于分析和优化物联网 (IoT) 应用和半导体元件测试的电池寿命测试。

关键字: 电池寿命测试 物联网

汽车电气化正在兴起,随着世界各国政府试图实现可持续发展目标,它可能会继续增长。本文摘录了与恩智浦半导体执行副总裁兼高级模拟业务线总经理 Jens Hinrichsen 就汽车电气化的各个方面的对话——从技术方面,包括电池...

关键字: 汽车电气化 恩智浦

功率器件

12200 篇文章

关注

发布文章

编辑精选

技术子站

关闭