Cortex-M系统中断延迟及其测量方法

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今天给大家分享的是Cortex-M系统中断延迟及其测量方法。在嵌入式领域里，实时性是个经常被我们挂在嘴边的概念，这里的实时性主要强调得是当外界事件发生时，系统是否能在规定的时间范围内予以响应处理，这个时间阈值越小，系统的实时性就越高。当然关于这个实时性，也有软硬之分，硬实时要求的是设定的时间阈值内必须完成响应，而软实时则仅需根据任务的优先级尽可能快地完成响应即可。

无论是 RTOS 环境还是裸机环境下，系统最原始的实时性保障其实来自于 MCU 内核的中断响应能力，关于中断响应能力有一个重要指标叫中断延迟时间，今天我们就来聊一聊 Cortex-M 内核的中断延迟及其测量方法：

一、什么是系统中断延迟？

所谓中断延迟，即从中断请求 IRQ 信号置起开始到内核进入执行该中断 ISR 第一条指令时的间隔，如下图所示，箭头范围内的 11 个周期就是中断延迟时间。关于这个概念，ARM 公司专家 Joseph Yiu 的一篇博客《Cortex-M内核系统中断延迟入门指南》介绍得很详细。

为什么会有中断延迟？其实这是无法避免的，当内核在执行 main thread 代码时，来了中断事件，NVIC 里对应 IRQ 信号被置起，内核接到 NVIC 通知后压栈保存现场（以便中断 ISR 处理完成时回到被打断的 main thread 地方），然后再从中断向量表里取出对应中断 ISR 来执行，这一系列动作是需要时间的。

Cortex-M 家族发展至今，已有 M0/M0 /M1/M3/M4/M7/M23/M33/M35P/M55 等多款内核，这些内核的中断延迟时间不一，如下表所示。注意表中的数值单位是内核的时钟周期，并且是在零等待内存系统条件下结果（即代码链接在零等待内存里）。

Note1: 一般来说 MCU 内部与内核同频的 SRAM 是标准的零等待内存。

Note2: 许多运行频率超过 100MHz 的微控制器会搭配非常慢的 Flash 存储器（例如 30 - 50MHz），虽然可以使用 Flash 访问加速硬件来提高性能，但中断延迟仍然受到 Flash 存储系统等待状态的影响。

二、如何测量系统中断延迟？

测量 Cortex-M 的中断延迟方法有很多，任何一个带中断的 MCU 外设模块都可以用来测中断延迟，Cortex-M 中断延迟时间跟触发中断的具体外设模块类型基本上是无关的（最多受一点该外设中断信号同步周期的影响）。

利用 GPIO 模块来测量 Cortex-M 的中断延迟是最简单的方法，选择两个 GPIO，一个配置为输入（GPIO_IN），另一个配置为上拉输出（GPIO_OUT，初态设为高），开启 GPIO_IN 的边沿中断（比如下降沿），在 GPIO_IN 边沿中断 ISR 里翻转两次 GPIO_OUT，然后用示波器测量两个 GPIO 信号边沿间隔得出中断延迟时间。

uint32_t s_pin_low = 0x0;
uint32_t s_pin_high = 0x1;

void GPIO_IN_IRQHandler(void)
{
GPIO_OUT->DR = s_pin_low;
GPIO_OUT->DR = s_pin_high;

ClearInterruptFlag(GPIO_IN);
__DSB();
}
需要注意的是在如上 GPIO_IN_IRQHandler 函数伪代码里，我们对 GPIO_OUT 做了两次翻转，这是有必要的。我们随便选择一个 CM7 芯片去实际编译（IAR环境下，无优化）可以看到如下汇编代码，每一次翻转实际上由四条指令组成，我们作为计时基准的 GPIO_OUT 第一个边沿其实是 ISR 里执行了第一句翻转代码后的时刻，而中断延迟是不包含第一句翻转代码执行时间的。因为指令流水线优化等复杂情况，我们就不从理论上计算四条指令实际消耗时钟周期数，直接再翻转一次 GPIO_OUT，测量 GPIO_OUT 低电平时间即认为是这四条指令执行时间。

因此最终中断延迟时间 td = t1 - t2，其中 t1、t2 是我们可以测量出来的时间。此外，td 时间内包含了 tx，这个 tx 是 I/O 跳变信号到芯片内部 IRQ 置起的时间，这个时间是芯片系统所需的同步时间，因芯片设计而异，本应不被计算在系统中断延迟内，但因为这个时间无法测量，故而就放在中断延迟里了，也算是一点小小误差吧。

下一篇我们将在实际 Cortex-M 芯片上用这种方法去实测中断延迟，敬请期待。

至此，Cortex-M系统中断延迟及其测量方法便介绍完毕了，欢迎大家转发分享。

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