多晶硅行业发展趋势
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当前光伏正面临着两大历史性的拐点:第一是从欧洲市场转向中美日市场;第二是从政府补贴逐渐转向平价上网。中国产业洞察网分析师看来,尽管多晶硅等产品价格一度有所回升,但未来出现大幅度上升的可能性不大,而一些公司依然在扩大产能中,在供求关系没有本质改变之前,光伏行业的复苏之路依然坎坷。
多晶硅或不会大幅上升欧盟对中国太阳能产品的反倾销预计6月初裁定,硅片与组件行业悲观预期仍然强烈,双反将导致没有赢家,届时多晶硅价格可能再次上涨,但是对中国的光伏行业来说,不同细分子行业景气度将出现分化。如果考虑到中国对欧盟多晶硅采取反制措施导致的多晶硅价格上涨,那么多晶硅相关企业将率先受益。另一方面,国内应对政策充足,且随时待发。中国光伏产业产能巨大,涉及各地政府、银行、就业群体等关键方,“救市”几乎是政府的必然选择——方法主要为两种:一是以提高补贴等方式扩大国内市场需求,二是对海外多晶硅等产品采取“报复”措施,在被“关门”之时国内政策发力的概率很高。另一方面,中国和欧盟之间的谈判依然有变数,如果双方都实施反倾销的话,会使得价格上涨;然而,如果双方都没有相应措施,多晶硅价格就不可能上升太多,而新能源发展的出路在于价格逐步走低,最终低于传统能源才有真正存在的价值。
高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料,在未来的50年里,还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原材料。随着信息技术和太阳能产业的飞速发展,全球对多晶硅的需求增长迅猛,市场供不应求。世界多晶硅的产量2005年为28750吨,其中半导体级为20250吨,太阳能级为8500吨。半导体级需求量约为19000吨,略有过剩;太阳能级的需求量为15600吨,供不应求。全球太阳能电池产量快速增加,直接拉动了多晶硅需求的迅猛增长。全球多晶硅由供过于求转向供不应求。受此影响,作为太阳能电池主要原料的多晶硅价格快速上涨。中国多晶硅工业起步于20世纪50年代,60年代中期实现了产业化,到70年代,生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后,环境污染严重,消耗大,成本高等原因,绝大部分企业亏损而相继停产或转产。中国集成电路和太阳能电池对多晶硅的需求快速增长,2005年集成电路产业需要电子级多晶硅约1000吨,太阳能电池需要多晶硅约1400吨;到2010年,中国电子级多晶硅年需求量将达到约2000吨,光伏级多晶硅年需求量将达到约4200吨。而中国多晶硅的自主供货存在着严重的缺口,95%以上多晶硅材料需要进口,供应长期受制于人,再加上价格的暴涨,已经危及到多晶硅下游众多企业的发展,成为制约中国信息产业和光伏产业产业发展的瓶颈问题。由于多晶硅需求量继续加大,在市场缺口加大、价格不断上扬的刺激下,国内涌现出一股搭上多晶硅项目的热潮。多晶硅项目的投资热潮,可以说是太阳能电池市场迅猛发展的必然结果,但中国硅材料产业一定要慎重发展,不能一哄而上;关键是要掌握核心技术,否则将难以摆脱受制于人的局面。作为高科技产业,利用硅矿开发多晶硅,产业耗能大,电力需求高。电价已成为中国大多数硅矿企业亟待突破的瓶颈之一。因此中国大力发展多晶硅产业,亟需在条件成熟的地方制定电价优惠政策,降低成本。由于需求增加快速,但供给成长有限,预估多晶硅料源的供应2007年将是最严重缺乏的一年,预计到2009年,全世界多晶硅的年需求量将达到6.5万吨。在未来的3至5年间,也就是在中国的“十一五”期间,将是中国多晶硅产业快速发展的黄金时期。2011年国内多晶硅产量达到82768吨,同比增长84%。产业依旧保持快速增长的势头,2006-2011年我国多晶硅产量翻了数番,年均增长超过100%。2011全年销售额超过230亿元,与2010年基本持平;截至2011年年底,我国已建多晶硅生产线的总产能达到14.8万吨。我国多晶硅产量已占全球的35%左右,已成为继美、德之后的全球多晶硅生产大国。
工业和信息化部2012年发布的《太阳能光伏产业“十二五”发展规划》中将高纯多晶硅列为“十二五”发展重点,并指出“支持骨干企业做优做强,到2015年多晶硅领先企业达到5万吨级,骨干企业达到万吨级水平”,“多晶硅生产实现产业规模、产品质量和环保水平的同步提高,到2015年平均综合电耗低于120千瓦时/公斤”。2008年金融危机之后,欧美等主要发达国家都将发展新能源产业作为推动经济发展的首选产业,特别是日本地震发生核泄漏之后,光伏发电成为新能源产业最主要的发展方向,包括欧洲、日本、美国、中国在内的主要国家和地区都将2020年光伏发电的目标翻番甚至提高更多。原计划在2020年全球实现光伏发电达到200GW,调整之后,该目标达到500-1000GW,未来全球光伏发电的前景依然光明。从工业化发展来看,重心已由单晶向多晶方向发展,主要原因为;[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少;[2] 对太阳电池来讲,方形基片更合算,通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料;[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展,全自动浇铸炉每生产周期(50小时)可生产200公斤以上的硅锭,晶粒的尺寸达到厘米级;[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快,其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产,例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极,采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米,高度达到15微米以上,快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间,单片热工序时间可在一分钟之内完成,采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14%。据报道,在50~60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16%。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17%,无机械刻槽在同样面积上效率达到16%,采用埋栅结构,机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8%。2012年12月份,多晶硅的进口均价已下跌至20.8美元/公斤,市场最低报价已到15美元/公斤。整体上看,2012年几乎所有的多晶硅生产企业均处于亏损的状态。进入2013年1月份后,随着多晶硅生产厂家库存的减少,国内多晶硅生产企业开始调高多晶硅市场报价,市场报价已上涨至21美元/公斤。行业普遍亏损导致较多的产能已开始退出,多晶硅价格将会维持在20-23美元/公斤之间才能覆盖多晶硅企业的全成本,使得部分企业盈利。2015年前三季度,多晶硅产量约为10.5万吨,同比增长20%;硅片产量约为68亿片,同比增长10%以上;电池片产量约为28GW,同比增长10%以上;组件产量约为31GW,同比增长26.4%。