[导读]同学们,《静噪基础课程》本期继续开讲!上一章介绍的是产生电磁噪声的机制本节为你介绍如何抑制电源电压波动第3 章 噪声 问题复杂 化 的因素 第1章为什么需要EMI静噪滤波器第2章产生电磁噪声的机制第3章噪声问题复杂化的因素3-1.简介3-2.谐振和阻尼3-3.噪声的传导和反...
同学们,《静噪基础课程》本期继续开讲!
上一章介绍的是
产生电磁噪声的机制
本节为你介绍如何抑制电源电压波动
第 3 章
噪 声 问 题 复 杂 化 的 因 素
第1章 为什么需要EMI静噪滤波器
第2章 产生电磁噪声的机制
第3章 噪声问题复杂化的因素
3-1.简介
3-2.谐振和阻尼
3-3.噪声的传导和反射
3-4.源阻抗
-
3-4-1. 电源电压波动
-
3-4-2. 去耦电容器
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3-4-3. 环路阻抗
-
3-4-4. 如何尽量降低环路阻抗
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3-4-5. 源阻抗和噪声抑制之间的不同
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3-4-6. 在噪声路径上采取噪声措施
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3-4-7. 噪声路径未知时怎么办
3-5.小结
3-4源阻抗
3-4-3. 环路阻抗
(1) 源阻抗的频率范围
图3-4-5中所示的源阻抗实际上给出了一个例子,其通过使用多个去耦电容器实现了极低的阻抗。这些频率特征可以分为如图3-4-9所示的三个区域。
图3-4-9 源阻抗的频率特征及发挥作用的元件
(2) 什么控制着低频范围?
上图中区域(1)的低于1MHz较为平缓部分可观察到的电源模块输出阻抗。如果不使用去耦电容器,阻抗会从图中虚线所指示的较低频率处开始增加。这是因为电源模块的输出特征和线路中电感的作用。
如果使用去耦电容器,可抑制高频范围的阻抗
。
(3) 什么控制着高频范围?
图3-4-9中区域(2)和区域(3)指示的是相对较高的频率范围,在其中可观察到去耦电容器的阻抗。
区域(2)是电容器存在电容阻抗的频率范围,可通过将静电容量的大小进行一定程度地控制。
区域(3)是电容器存在电感阻抗的频率范围。为进一步降低此区域的阻抗,需要降低去耦电容器的ESL,或者降低连接至电容器线路的电感。
(4) 环路阻抗
线路电感由负载IC和去耦电容器之间连接的模式和通孔构成,如图3-4-10中所示。将经过这些元件的整个电流环路之和与电容器的ESL相加,可得出总电感。图3-4-11为等效电路。
图3-4-10 环路阻抗的要素
图3-4-11 去耦电路的等效电路
去耦电容器所建立电流环路的阻抗可以称为环路阻抗。图3-4-9所示区域(3)的环路阻抗是主要来自线路和电容器本身的电感所致。
为降低高频范围内的环路阻抗,需要降低电感。也就是说,当环路阻抗的目标值为ZTarget (Ω),频率为f(Hz),总阻抗为LLoop (H),可得出如下公式:
公式3-4-1
例如,如果需要将100MHz处的环路阻抗降低到1Ω或更少,总阻抗需要约为1.6nH或以下。这是一个极低的值。
(5) 环路阻抗的要素
因为实际电路可能存在导线分支的情况或者有多个电容器,所以不能像图3-4-10和图3-4-11那样简单地思考问题。但是,这个模型是有用的,可以作为将环路阻抗分解为各个要素的理念。为有效地尽量降低环路阻抗,需要降低在总阻抗中占很大一部分的电感。
3-4-4. 如何尽量降低环路阻抗
为尽量降低高频范围内的环路阻抗,需要降低电容器的ESL和线路的电感。如果能够进行巧妙地设计,可以将双层基板的总电感降低至约几nH,多层基板则可降低至1nH或以下。在图3-4-9的示例中,其值约为0.3nH。
(1) 使用低ESL电容器
每个电容器(如果是MLCC)的ESL约为0.5nH,在总电感中占很大一部分。为降低此值,可使用低ESL电容器,具体将在第6章中讲述。低ESL电容器也在村田官网中进行了详细介绍。
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三端子电容器结构示例
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LW逆转型低ESL的多层陶瓷电容器 LLL系列
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8端子型低ESL多层陶瓷电容器 LLA系列
(2) 降低线路电感
要降低线路和通孔中的电感,线路和通孔应该要“粗且短”。例如,在布置电容器和通孔时,应减少图3-4-10中所示电流环路的面积。此外,布局模式应该尽可能地宽。将电容器放置在(基板另一侧)IC的正下方,并使基板变薄,通常能够让电流环路变小。
(3) 电容器和通孔的并联
当并联使用众通孔通路和电容器时,可降低阻抗。
因为线路和通孔的电感非常小,而且还涉及互感,所以很难得到一个简单的判断。为此,可使用电磁模拟装置估计这样的环路阻抗。图3-4-12给出了电感的一般范围供您参考。但是,根据线路的不同形状,电感可能相差好几倍。此外,即使只是1mm的长度,也会造成约0.5nH的电感,这是无法忽略的。
图3-4-12 降低环路阻抗的电容器布置
(4) 注意反谐振
如果使用了两个或更多个电容器,需要考虑电容器之间发生的谐振。一般而言,如果并联连接具有不同自谐振频率的多个电容器,反谐振会导致具有高阻抗的频率(将在第6章中进行探讨)。
除了线路电感之外,还需要考虑在100MHz以上的高频范围内存在的静电容量。此外,电源层的谐振和IC封装的影响也会在高频范围内变得显著。鉴于要素如此复杂,也可使用电磁模拟装置。
3-4.源阻抗 - 重点内容
√ 源阻抗是电源品质的一个指标 源阻抗低则更有利。
√ 低源阻抗能够抑制电源电压波动。
√ 有助于稳定电路运行、信号品质和减少
噪声。
√ 有效使用去耦电容器降低源
阻抗。
√ 除了电容器外,线路设计也很重要。
附:第三章参考文献及下载
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[Japanese] 電気理論(第2版),池田哲夫,森北出版 2006
-
High-Speed Digital Design: a Handbook of Black Magic,Howard Johnson, Martin Graham,Prentice Hall PTR, 1993
-
High-Speed Signal Propagation: Advanced Black Magic,Howard Johnson, Martin Graham,Pearson Education, Inc. 2003
-
[Japanese] よくわかるプリント板実装の高速・高周波対策,井上博文,日刊工業新聞社 2009
-
数字IC电源静噪和去耦应用手册 (点击下载PDF: 3.5MB) ,Murata Manufacturing Co., Ltd. Catalog C39C, 2010
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