DRAM概述

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器(SRAM)只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

随机存取存储器(英语：RandomAccessMemory，缩写：RAM)，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外，见下文)，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。主存(Main memory)即电脑内部最主要的存储器，用来加载各式各样的程序与数据以供CPU直接运行与运用。由于DRAM的性价比很高，且扩展性也不错，是现今一般电脑主存的最主要部分。2014年生产电脑所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年开始DDR4 SDRAM逐渐普及化，笔电厂商如华硕及宏碁开始在笔电以DDR4存储器取代DDR3L。

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器(SRAM)只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个比特通常需要六个晶体管。正因这缘故，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。与大部分的随机存取存储器(RAM)一样，由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器(volatile memory)设备。

DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵。基本的操作机制分为读(Read)和写(Write)，读的时候先让Bitline(BL)先充电到操作电压的一半，然后在把晶体管打开让BL和电容产生电荷共享的现象，若内部存储的值为1，则BL的电压会被电荷共享抬高到高于操作电压的一半，反之，若内部存储的值为0，则会把BL的电压拉低到低于操作电压的一半，得到了BL的电压后，在经过放大器来判别出内部的值为0和1。写的时候会把晶体管打开，若要写1时则把BL电压抬高到操作电压使电容上存储著操作电压，若要写0时则把BL降低到0伏特使电容内部没有电荷。

严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管(二端子)、三极管、场效应管、晶闸管(后三者均为三端子)等。晶体管有时多指晶体三极管。三端子晶体管主要分为两大类：双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET，单极性)。晶体管有三个极(端子);双极性晶体管的三个极(端子)，分别是由N型、P型半导体组成的发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极(端子)，分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。晶体管因为有三个电极，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随耦器)。