要闻一览：天玑9000，智能手机芯片中的香饽饽

在这篇文章中，小编将对近日发布的天玑9000的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对天玑9000的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。

天玑9000是联发科近日发布的智能手机旗舰芯片，这颗芯片是全球目前首颗采用台积电4nm制程的芯片。天玑9000的定位为旗舰级别，其主要提升为算力、多媒体、连接性三方面，相比前代天玑1200系列，天玑9000可谓是全面进步。尤其是工艺部分，首发的台积电4nm工艺是目前已知的最先进工艺，预计2022年的顶级旗舰芯片都将采用此工艺。

天玑9000率先采用台积电4nm先进制程，CPU采用面向未来十年的新一代Armv9架构，包含1个主频高达3.05GHz的Arm Cortex-X2超大核、3个主频高达2.85GHz的Arm Cortex-A710大核和4个主频为1.8GHz的Arm Cortex-A510能效核心，内置14MB超大容量缓存组合，为智能手机提供超乎想象的强大计算性能。45nm(1μm=1000nm，1nm为10亿分之一米)不是指的芯片上每个晶体管的大小，也不是指用于蚀刻芯片形成电路时采用的激光光源的波长，而是指晶体管栅极的长度。半导体业界习惯上用长度这个工艺尺寸来代表硅芯片生产工艺的水平。另外，的连线尺寸也是一个很重要的标准，在一个技术时代里，比如45nm，线的宽度的是可以缩小的，但是线的高度是不变的。早期的连线采用铝，后来都采用铜连线了。同1995年晶体管中二氧化硅层相比，65nm工艺的晶体管中的二氧化硅层已经缩小到只有前者的十分之一，仅有5个氧原子的厚度了。作为阻隔栅极和下层的绝缘体，二氧化硅层已经不能再进一步缩小了，否则产生的漏电流会让晶体管无法正常工作，如果提高有效工作的电压和电流，会使芯片最后的功耗大到惊人的地步。

从65nm开始，我们已经无法让栅极介电质继续缩减变薄，而且到45nm，晶体管的尺寸要进一步缩小，源极和漏极也靠得更近了，如果不能解决栅极向下的漏电问题以及源极和漏极之间的漏电问题，新一代处理器的问世可能变得遥遥无期。

由此也可以看出，采用4nm制程的天玑9000，在性能上必然是强大的。

天玑9000搭载Arm Mali-G710旗舰十核GPU，支持LPDDR5X内存，传输速率可达7500Mbps，支持双通道UFS3.1闪存，平台性能与能效提升的同时为全场景应用加速。

天玑9000集成MediaTek第五代AI处理器APU 590，采用高能效AI架构设计，充分发挥混和精度优势，灵活运用整数精度与浮点精度运算，较上一代的性能和能效均提升4倍，为智能手机的拍照、视频、流媒体、游戏等万千应用提供高能效AI算力。所谓APU其实就是“加速处理器”(Accelerated Processing Unit)的英文缩写，是AMD推出的整合了x86/x64 CPU处理核心和GPU处理核心的新型“融聚”(Fusion)处理器，因此我们也能在网上找到“融聚加速处理器”的说法。AMD的APU平台分两种，一种是此前已经能在市面上买到的E系列入门级APU，一种是2011年才在欧美市场正式上市的A系列主流级APU，A系列APU分A4/A6/A8/A10四大系列，就是我们一般讲的“Llano APU处理器”(拉诺APU处理器)。

至于GPU部分，这款芯片采用的Mali-G710和现有的安卓旗舰相比也有35%的性能提升，效能提升更是达到了60%。如果真是这样，那这就是一块性能好而且并不太热的芯片了。性能跑分部分和现在的安卓旗舰相比也提升了至少10%，1+3+4的架构也非常适合跑分，这款芯片的安兔兔跑分直接超过100万，超越骁龙888 Plus成为新的性能标杆。在不同跑分软件里的结果有所不同，但总的来说肯定是提升很大的。

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