集成升压二极管和电容器，这款智能功率级产品非你莫属

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LTC7050双通道单片式功率级在电气和热优化封装中完全集成了高速驱动器和低电阻半桥电源开关，以及全面的监控和保护电路。借助合适的高频控制器，该功率级可形成具有先进的效率和瞬态响应的紧凑型大电流电压稳压器系统。

SilentMOS技术采用第二代Silent Switcher 2架构，可降低EMI和开关节点电压过冲，同时较大限度地提高在高开关频率下的效率。

它可以通过高速电流检测可提供低延迟开关电流信息，从而实现严格的电流平衡和即时过流保护。热增强型封装提供双路40A额定连续输出电流能力。

LTC7050 是一款双通道或双相集成驱动器半桥功率 MOSFET 级，适用于 DC/DC 降压应用。 它设计用于同步开关架构，具有提供 PWM 三态控制输出的逻辑电平控制器。

在正常操作中，PWMHI 打开高端 FET，PWMLO 打开低端 FET。 SW 节点跟随 PWM 引脚，具有典型的 10ns 延迟。 SW 从 PGND 上升到 VIN 之前有 <1ns 的死区时间，SW 下降后有典型的 3ns 死区时间。

高端 FET 驱动器通过内部集成开关和电容器从内部 BST 节点向 SW 供电，这样可以实现比典型二极管更低的压降以及更高的工作频率。

在电流检测方面，实时电流检测放大器提供按比例缩小的 SW 电流。在 PWMHI 或 PWMLO 期间，ISNS 引脚根据 SW 电流方向提供或吸收等于瞬时 SW 电流 1/100,000 的电流。 相关的电流比较器标记高侧 FET 正过流 (OC) 和低侧 FET 负过流 (OCN) 条件。 两个 FET 的零电流也由相关的电流比较器检测。

在温度监控器和过热故障处理方面，通常，TMON 输出 0.6V 至 1.8V 的电压，对应于 0°C 至 150°C 的芯片温度范围。 TMON 由可以提供电流但吸收能力有限的放大器驱动。这允许多个 TMON 引脚并联，并报告最高温度。 过热在 150°C(典型值)时触发，并导致 TMON 引脚被拉高至 VCC。 一旦内部温度低于阈值 20°C(典型值)，过热故障将被清除。 TDIO 引脚内部连接到 P/N 结二极管的阳极，而阴极连接到 SGND。 它为诸如 LTC3884-1 之类的控制器提供了另一种管芯温度测量，以使用直接 VBE 方法或 ΔVBE 方法测量管芯温度。

那么在过流故障条件方面呢，当高端 FET 导通时，>93A 的瞬时 SW 电流(流出 SW 的净电流)将使过流 (OC) 比较器跳闸并设置内部 OC 状态。 发生这种情况时，无论 PWM 引脚状态如何，高端 FET 将关闭，低端 FET 将开启，直到 SW 电流降至 5A，此时 OC 状态将被重置。正常的 PWMHI 至高端 FET 和 PWMLO 至低端 FET 操作恢复。 当低端 FET 开启时，<–45A 的瞬时 SW 电流(流入 SW 的净电流)将使 OCN 比较器跳闸。 发生这种情况时，无论 PWM 引脚状态如何，低端 FET 将关闭，高端 FET 将打开，直到 SW 电流增加到 –8A，此时 OCN 状态将被重置。 正常的 PWMHI 到高端 FET 和 PWMLO 到低端 FET 操作恢复。 在 OC 或 OCN 条件下，FLTB 被拉低。

此外，对于有源二极管模式，如果 PWM 从高电平变为 Hi-Z 状态，而大 (>5A) 电流仍在从 VIN 流经顶部 FET 到 SW，则 FET 顶部将关闭，底部 FET 将开启以续流电流，直到它达到 被降低了。如果 PWM 从高电平变为 Hi-Z 状态，而大 (≥8A) 电流仍在从 SW 流经顶部 FET 到 VIN，则顶部 FET 将不会关闭，直到电流斜坡下降。类似地，如果 PWM 从低到 Hi-Z 状态，而大 (≥8A) 电流仍然流经底部 FET 从 SW 到 PGND，底部 FET 将关闭，顶部 FET 将打开以续流电流直到 它已经下降。 如果 PWM 从高电平变为 Hi-Z 状态，而大 (>5A) 电流仍在从 PGND 流经底部 FET 到 SW，则底部 FET 将不会关闭，直到电流斜坡下降。

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