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[导读]原子层沉积(ALD)工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年,ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造,不断推动诸如动态随机存取存储器(DRAM)、先进的鳍式场效应晶体管(FinFET)以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓,ALD工艺逐渐渗透到更多应用领域,如超摩尔(More-than-Moore,MtM)器件的生产中,正在推动新的架构、材料和性能的改进。

原子层沉积(ALD)工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年,ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造,不断推动诸如动态随机存取存储器(DRAM)、先进的鳍式场效应晶体管(FinFET)以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓,ALD工艺逐渐渗透到更多应用领域,如超摩尔(More-than-Moore,MtM)器件的生产中,正在推动新的架构、材料和性能的改进。

调研机构Yole Développement报告显示,全球晶圆厂产能扩张的举措正在推动ALD设备销量的飙升。预计未来几年,ALD设备在超摩尔应用的市场规模将持续增长,其中2020-2026年的年复合增长率为12%,在2026年有望达到6.8亿美元。

Yole Développement针对ALD设备的市场预测

紧跟2022市场需求,SRII推出两款重磅新品拓展应用布局

致力于满足半导体制造领域不断增长的技术需求,业界领先的ALD设备制造商和服务商—青岛四方思锐智能技术有限公司(以下简称思锐智能或SRII)旗下Beneq品牌全新设计并重磅推出了两款用于半导体器件制造的新产品:Prodigy和Transform300。

SRII旗下Beneq品牌半导体业务负责人Patrick Rabinzohn表示:“进入2022年,更多样化、更复杂的新兴半导体应用正在崛起,Prodigy专为化合物半导体制造而设计,包括射频集成电路(GaAs/GaN/InP)、LED、VCSEL、光探测器等相关领域的MEMS制造商和代工厂,将受益于全新的Prodigy系列,以高性价比实现具有市场竞争力的ALD批量处理能力,并有效提升器件的性能和可靠性。Transform300则在原本优势的Transform系列上继续扩充,进一步适用300mm晶圆产品的ALD镀膜需求,具备卓越的通用性及多功能性,同样也是FAB-READY,可轻松集成到客户的产线上。”

Prodigy为化合物半导体以及MEMS器件提供具有市场竞争力的ALD解决方案

全新Transform300产品进一步匹配新兴半导体应用

Prodigy为化合物半导体和MEMS器件的ALD量产技术树立了新标杆,能够满足由高端ALD技术支持的众多细分市场,是为8”及以下晶圆和多种材料提供最佳钝化及薄膜沉积的理想量产方案。Prodigy不仅集成了SRII最新ALD技术,更具备高性价比,易于实现批量处理工艺以提升目标产品性能,适用于75-200mm晶圆产品。

值得一提的是,Transform300是目前市面上唯一一款结合等离子体增强和热法ALD有序工艺的300mm ALD集群工具。至此,Transform系列可为IDM和代工厂提供集单片、批量、等离子体增强及热法等众多功能于一体的工艺平台,旨在满足逻辑和存储等超大规模集成电路(VLSI)制造、CMOS图像传感器、功率器件、Micro-OLED/LED、先进封装和更多超摩尔领域的应用场景。

加强产业深度合作,以先进技术赋能垂直行业创新

万物互联时代到来,广泛类型的传感器产品重要性日益凸显。以CMOS传感器(CIS)这一典型的超摩尔应用为例,随着芯片集成度的提升,CIS芯片的结构也在不断创新,例如以堆叠方式将图像传感器、存储器以及更多逻辑元件进行统一封装。为了实现更优异的感光能力,往往需要表面钝化层来减少光子的损失,或通过抗反射涂层让更多的光子到达接收器。在这样深沟槽镀膜的场景中,ALD可以实现100%覆盖,或以不同镀膜材料、不同镀膜层数等方式组成不同的折射率、不同的叠层膜配比,从而更好地满足客户差异化的需求。

Patrick Rabinzohn表示:“高质量、高保形性和均匀性的薄膜是ALD十分擅长的领域,目前已成为CIS应用的主流。与此同时,为了面向更多超摩尔应用,ALD工艺在全球范围也在不断开发与完善。SRII是这一全球合作的积极参与者,正在持续联合学术界、研究机构、材料供应商、设备子部件和工具供应商以及计量系统供应商等上下游机构/厂商展开紧密合作,实现互惠互利、创新发展,从而确保自有ALD工艺的领先地位。“

目前,在中国市场,SRII与国家智能传感器创新中心及各大科研院校已经建立战略合作关系,共同专注CIS、MEMS等重要领域的联合研发,致力于加速超摩尔领域的产业落地。

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