三星3nm工厂即将动工：有没有希望能挽回有点要跑掉的高通呢 ?

芯片的发展越来越迅速，先进制程芯片量产的速度也是越来越快，从28纳米，就这么几年的时间，如今已经成功挺进到4纳米。这意味着什么?意味着芯片先进制程已经即将就要接触到摩尔定律的极限了。

当然，如今全球企业在芯片先进制程上依旧还在不断努力中，三星，这个国际性的全能企业，在3纳米芯片方面也传来了新进展，据说三星准备在3纳米方面采用新工艺。那么，这次三星是否真能实现3纳米的量产吗?毕竟三星叫嚷3纳米也已经有很多年了，但是连影子都没见到。

三星如今研发出这样一个更加先进的3纳米制程工艺，那么究竟有没有希望能挽回有点要跑掉的高通呢?

根据韩国媒体报道，三星今年准备在韩国平泽市开工建设3纳米晶圆厂，目前预计可能会在6月份还7月份动工，并且还准备一并将相应的设备落实到位。在3纳米芯片的制程工艺上，三星大有破釜沉舟的样子。

我国的台积电也确实有向3纳米芯片进军，但是，目前台积电使用的可是比较传统的FinFET工艺。而三星偏不，三星这次准备用什么呢?准备使用新工艺，准备成为第一个吃螃蟹的人。这个新工艺就是GAA晶体管工艺。

三星的晶圆代工部门最近负面不断，此前有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报5nm、4nm、3nm工艺制程的良品率，以致于高通这样的VIP客户都要出走，重新使用台积电生产骁龙8处理器。

不过从技术上来说，三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂，虽然在7nm、5nm及4nm节点上落后了一些，但在接下来的3nm节点三星更激进，要全球首发GAA晶体管工艺，放弃FinFET晶体管技术，而台积电的3nm工艺依然会基于FinFET工艺。

三星之前表示，GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管)，该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

当然，这些还是纸面上的，三星的3nm工艺挑战也不少，光是量产就是个问题，之前三星宣传2021年就量产，实际上并没有，最快也是今年，而且首发的是3GAE低功耗工艺，高性能的3GAP工艺至少要2023年了。

据韩国媒体报道，三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了，6、7月份动工，并及时导入设备。

按照这个进度，今年的3GAE工艺应该也只会是小规模试产，大规模量产也要到明年了，跟台积电的3nm工艺差不多，两家都因为种种问题延期量产3nm工艺了。

3月9日消息，此前三星就曾宣布，其3nm工艺已经研发完成，预计会在今年第二季度开始试产，比台积电的进度更快。近日，韩国媒体报道称，三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂，预计6月份前后动工，届时就能导入设备并开始试产调试了。

显然，这个进度比三星公布的时间要慢不少，预计到年底也只能进行小规模的量产。而台积电的3nm工艺应该也能在今年第四季度之前开始量产，这样一来两家的时间就相差不多了，大规模量产都要拖到明年了。

不过，按照三星公布的消息，其3nm工艺采用的是更为先进的GAA环绕栅极晶体管技术，相比与台积电的FinFET晶体管技术会更为先进。在性能、功耗、芯片面积等各个方面，纸面参数都是要比台积电3nm工艺更优秀的。

相比与7nm工艺，三星3nm GAA工艺的芯片逻辑面积提高45%以上，功耗降低50%，性能提高约35%。如果真的能达到这样的水准，那确实有机会在3nm技术上实现弯道超车，一举追上台积电。之前，三星的7nm、5nm工艺表现都不如台积电，三星也是把宝都压在了3nm工艺上，并且在技术上还领先了一步，希望这一次能有大幅提升

之前有传言称，台积电的3nm工艺产能已经被苹果、英特尔提前预定，高通、AMD等其他厂商分不到多少，所以准备转头三星3nm。高通这边想要第一时间用上先进工艺，也就只能找三星了。如果三星3nm工艺能达到理论性能，那高通旗舰芯片也有机会迎来一波大的性能提升。