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[导读]如今,随着各大手机品牌推出带无线充电功能的手机,大家对无线充电技术已不再陌生。充电时,只需将手机往无线充电器上一放即可,不需要在凌乱的包里翻出充电器。

如今,随着各大手机品牌推出带无线充电功能的手机,大家对无线充电技术已不再陌生。充电时,只需将手机往无线充电器上一放即可,不需要在凌乱的包里翻出充电器。

在无线充电器技术的研发和探索中,各大手机厂商乐此不疲。其中苹果专门开发了用于线圈精准对位的MagSafe无线充电技术,“咔哒”一声即可充上电,极大提升了用户使用体验。

安卓手机厂商更为大胆创新,一波接着一波进军大功率无线充电市场,同样取得了不错的成效。

伏达无线充电发射芯片(Tx)矩阵

时至今日,伏达已经在无线充电市场中深耕了8年,成功推出无线充电接收芯片、无线充电发射芯片、汽车无线充发射芯片、电池快充芯片、显示电源芯片、电源管理芯片和锂电池保护芯片等。值得一提的是,伏达的定制解决方案,已经进入了小米、华为、OPPO、紫米、Belkin、mophie、绿联、等国内外知名品牌供应链,为客户提供“一站式”解决方案。

今天主要分享伏达在无线充电发射芯片市场中的产品布局,分享众多经典方案。

伏达半导体推出的无线充电发射芯片总共可以分为SoC控制器、MUC主控芯片以及智能全桥芯片三大类。

其中SoC控制器是伏达最新推出的无线充电芯片系列,采用高集成的设计。其中NU1705和NU1708两款芯片是无线充电器专用芯片,一颗芯片即可满足5-30W无线充电器的设计,大大简化了PCB板外围电路设计,并且还支持双线圈设计,适用于无线充底座以及立式无线充电器的开发。

此外还有三颗双角色的无线充芯片,既可以支持接收、也支持发射,主要用于智能手机实现反向无线充电功能,其接收功率从30W-80W不等。

除了SoC芯片之外,伏达半导体的无线充电发射方案也可以采用MCU主控+智能全桥的架构,需要两颗芯片合理搭配才能完成无线充电器的开发。其中MCU主要负责协议识别、信号解调、PWM控制以及各种保护功能;智能全桥芯片是将线圈驱动MOS管、MOS全驱动器以及保护功能等集成在一起。

目前伏达已经推出了6款MCU主控芯片以及8款智能全桥芯片,可以满足5W-50W无线充电器方案的开发需求,并且伏达的MCU主控+智能全桥架构均支持双线圈设计。

除此之外,伏达还进军汽车无线充电市场,现已推出的无线充电发射端智能全桥芯片NU8015Q和NU8040Q,并已经通过AEC-Q100认证。

介绍完无线充电发射芯片矩阵,下文中整理汇总了伏达半导体无线充电芯片的部分应用案例。

SoC控制器

SoC Controller—— NU170X

NU170X采用单芯片高集成的无线充解决方案,将MCU主控、Power stage集成到一颗芯片内,集成双线圈驱动功能,把系统外围元件数量从70颗降低到20颗左右,不仅大大提高了产品性能,也极大降低了系统成本,功率覆盖5W-30W。

据悉,采用该集成方案的充电配件将于2022年量产上市。

伏达还在第三代无线充SoC芯片内部集成了PD快充协议识别功能,无需外置PD芯片申请电压,同时将外置晶振集成,以此简化无线充方案的设计。

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1、伏达推出第三代SoC无线充方案,功率最高支持30W

MCU主控芯片

MCU Controller——NU1300

NU1300是无线充电发射端控制芯片,兼容WPC V1.2标准,内置高精度可靠的异物检测,支持LED显示充电状态和故障报告,内部集成通信解调电路。支持100KHz到220KHz的PWM无线充电信号输出。支持过电流保护,支持NTC过热保护,支持充电状态蜂鸣器输出,可搭配NU1005/6实现高性能的无线充电解决方案。采用28pin 4*4mm QFN封装。

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MCU Controller——NU1509

NU1509是无线充电发射端控制芯片,内部集成ARM M0内核,兼容WPC 1.2.4 EPP扩展功率协议。支持127.7KHz PWM信号输出,具有外置DC-DC控制信号输出,用于定频调压无线充电。并且内置快充协议,支持输入电压检测,支持功率限制避免输入过载,支持过电流保护和过热保护。可与NU1015或NU1009搭配实现高性能15W/10W无线充方案。采用28pin 4*4mm QFN封装。

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MCU Controller——NU1512

伏达NU1512是一款高度集成的数字控制器,用于无线充电发射端,符合BPP和EPP标准。其集成了必备功能,可调节功率,并与符合WPC标准的接收器保持通信。NU1512与最小和集成度最高的功率级芯片NU1009搭配一起工作,双芯片交钥匙设计极大节省空间,组成简单、高性能和经济高效的无线发射解决方案,适用于广泛的应用。

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MCU Controller——NU1513

NU1513是高度集成的数字控制器,用于符合WPC EPP标准的30W无线充电发射器。该器件与NU1020配套的功率级IC一起构成了简单,高性能,高性价比的无线充电发射器解决方案,适用于广泛的应用。

NU1513集成了所有基本功能,以提供稳定的功率并与兼容WPC的接收器保持稳定的通信。两芯片交钥匙设计与最小,集成度最高的功率级IC NU1020一起使用,可提供最多的空间节省解决方案。

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PowerStage——NU1028

NU1028是高集成度的高功率无线充电的集成功率级,内部集成功率全桥,驱动器,内置降压电路和稳压电路。支持无损耗高精度电流检测,用于带内通信和异物检测。集成数字解调,集成欠压和过压保护,支持完善的保护功能,支持数字I2C接口,采用4*4mm QFN封装。

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SmartBridge——NU1006

NU1006是一颗高度集成的无线充电发射芯片,支持5V输入电压,内置高精度高速无损电流检测用于异物检测和带内通信,支持输入欠压锁定,支持短路保护,支持过热关断,采用16pin 3*3mm QFN封装。

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SmartBridge——NU1007

NU1007是内部集成全桥功率管的无线充电发射芯片,支持高精度高速无损电流检测,用于异物检测和带内通信。支持输入欠压保护,内置短路保护功能和过热关断,采用16pin 3*3mm QFN封装。

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SmartBridge——NU1009

NU1009是一颗高度集成的无线充电发射芯片,内部集成高效率的全桥MOS管,内部集成低EMI 的功率场效应管驱动器,内置5V DC-DC降压转换器,内置高精度高速无损电流检测用于异物检测和带内通信,集成无损Q值检测,集成低误码率数字解调,支持输入欠压和过压保护,支持短路保护,支持过热关断,具有I2C接口,采用28pin 4*4mm QFN封装。

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SmartBridge——NU1009A

NU1009A是一颗高度集成的无线充电发射芯片,内部集成高效率的全桥MOS管,支持10W输出功率。内部集成低EMI 的功率场效应管驱动器,内置5V DC-DC降压转换器,内置高精度高速无损电流检测用于异物检测和带内通信,集成无损Q值检测,集成低误码率数字解调,支持输入欠压和过压保护,支持短路保护,支持过热关断,具有I2C接口,采用28pin 4*4mm QFN封装。

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SmartBridge——NU1020

NU1020是高度集成的全桥功率级IC,针对无线充电发射器解决方案进行了优化。该器件集成了所有关键功能,例如高效功率FET,低EMI FET驱动器,自举电路,5V集成DC / DC电源,3.3V(可配置2.5V)LDO和无损电流测量。专有的电流测量电路可为FOD(异物检测)功率测量,带内通信,Q值检测和数字解调提供准确的电流读数。

应用案例:

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SmartBridge——NU1025

NU1025是高度集成的智能全桥芯片,针对无线充电发射器解决方案进行了优化。该器件集成了所有关键功能,例如高效功率FET,低EMI FET驱动器,自举电路,5V集成DC/DC电源,3.3V(可配置2.5V)LDO和无损电流测量。此外具有多重保护功能,采用4mm×4mm QFN封装。

应用案例:

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点评

得益于各大品牌手机厂商的垂青,市面上支持无线充电功能的手机越来越多,同时手机的无线充电功能在使用体验、充电速度等方面有了明显的改善,市场认可度越来越高。除了手机之外,在智能手表、TWS耳机、电动牙刷等智能穿戴产品和个人洗护用品中,越来越多的设备开始加入无线充电功能。所以说,无线充电在未来是一个增量市场。

伏达半导体在无线充电领域耕耘了8年,一方面积累了丰富的产品经验,同时也布局了特色的知识产权,不仅能够提供Total Slution,帮助客户实现产品的快速上市,而且还不用担心专利问题。

高度集成是伏达无线充电芯片的主旋律,其MCU+智能全桥的架构性能稳定,外围精简,在无线充电市场中很受欢迎,并且频繁被知名品牌客户采用;最新推出的SoC芯片则进一步提升了芯片集成度,并解决成本。同时也针对手机反向无线充电和汽车无线充电推出了对应的解决方案,进一步开拓更高规格的无线充市场。

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