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[导读]芯片制造企业中,台积电的技术最为先进,根据台积电发布的消息可知,其计划今年下半年量产3nm芯片,2023年量产N4X工艺的芯片,2024年量产2nm芯片。由于全球缺芯,再加上台积电芯片制造技术先进,其近年来的可以说是高速增长。

芯片制造企业中,台积电的技术最为先进,根据台积电发布的消息可知,其计划今年下半年量产3nm芯片,2023年量产N4X工艺的芯片,2024年量产2nm芯片。由于全球缺芯,再加上台积电芯片制造技术先进,其近年来的可以说是高速增长。在这样的情况下,英特尔也宣布进入晶圆代工领域内,并表示将会在2025年前量产20A工艺的芯片。

要知道,英特尔目前还不能自主量产7nm制程的芯片,却要在3年后量产20A工艺的芯片,这着实让外界吃了一惊。然而,就在近日,英特尔方面再次官宣2nm芯片,并表示将会在2024年实现量产,有望赶在台积电前面量产2nm芯片,目的就是重回芯片制造领域内的巅峰。据了解,英特尔为了快速发展芯片制造技术,其已经与IBM合作,后者在之前已经发布了全球首个2nm芯片制造技术。

由于IBM自身不生产制造芯片,很大可能会交给英特尔。另外,英特尔为了提升芯片制造技术等,ASML的光刻机的优先供货,并获得升级版的EUV光刻机,其NA值为0.55,也是全球首台交付的升级版EUV光刻机。然而,就在近日,英特尔方面再次官宣2nm芯片,并表示将会在2024年实现量产,有望赶在台积电前面量产2nm芯片,目的就是重回芯片制造领域内的巅峰。

据了解,英特尔为了快速发展芯片制造技术,其已经与IBM合作,后者在之前已经发布了全球首个2nm芯片制造技术。由于IBM自身不生产制造芯片,很大可能会交给英特尔。另外,英特尔为了提升芯片制造技术等,ASML的光刻机的优先供货,并获得升级版的EUV光刻机,其NA值为0.55,也是全球首台交付的升级版EUV光刻机。

但台积电接收英特尔芯片订单采用的是预收款的形式,其它厂商的订单都是先生产后交钱,英特尔的芯片订单是先付款,后生产。台积电这么做一方面是因为英特尔芯片订单不想排队等待,另外一方面的是台积电也明白英特尔的订单不会长久,防范着英特尔。其次,台积电美国工厂投产时间或延迟。据悉,台积电在美建设5nm芯片生产线,预计在2024年投产。

对于芯片技术的向前推动,很多国际头部公司也一直在未知的道路上疾驰,英特尔CEO基辛格最近透露了2nm芯片的量产时间。

基辛格表示2nm量产时间大约为2024年,这个量产时间早于台积电,与此同时还要抢攻汽车芯片代工。

产业分析师此前表示,英特尔希望在纳米世代结束前对台积电实现赶超,可先进的制程技术牵涉的是整体供应链生态系、制造能力、良率和商业技术。

英特尔先进制程接单生产情况被业界认为,这个将对台积电短中期(约二年至三年)影响不大,因为台积电在该领域的影响力有目共睹。台积电在多方面始终居于优势。

不过业内也会在2024年观察英特尔4nm与更先进制程实际量产的良率情况,也要考察收购8寸厂产生的协同效应。

Statista研究库数据显示,预计2021年英特尔是台积电的第六大客户,这是因为台积电源自英特尔相关营收占比约7.2%。

随着台积电技术研讨会将于下个月举行,无晶圆半导体生态系统内部令人兴奋不已。台积电不仅会提供N3 的更新,我们还应该听到即将到来的 N2 工艺的详细信息。

希望台积电将再次分享其最新工艺节点确认的流片数量。鉴于我在生态系统中听到的消息,N3 的流片数量将创下历史新高。英特尔不仅加入了台积电的多产品大批量 N3 生产,据报道,高通和英伟达也将使用 N3 来生产其领先的 SoC 和 GPU。事实上,列出不会使用台积电进行 3nm 的公司会更容易,但目前我还不知道。很明显,台积电绝对以非常大的优势赢得了FinFET 之战。

“台积电 2021 年最突出的消息是成功吸引了更多来自英特尔的新业务,同时能够与 AMD、高通和苹果等现有客户保持良好的关系。随着其 3 纳米 N3 将于 2022 年晚些时候进入量产并具有良好的良率,并且 2 纳米 N2 开发有望在 2025 年实现量产,台积电有望继续保持其技术领先地位,以支持其客户创新和增长。由于对尖端技术的需求,台积电的代工领导地位近年来似乎变得更加具体。”

Gartner 分析师 SamuelWang 表示。

SemiWiki 报道了过去 11 年的台积电活动,今年我们也将有博主参加。这是台积电客户、合作伙伴和供应商的头号交流活动,因此我可以向您保证,会有很多东西要写。

以下是台积电技术开发的最新更新:

台积电的 3nm 技术开发进展顺利,已开发出完整的 HPC 和智能手机应用平台支持。台积电 N3 将于 2022 年下半年进入量产阶段,良率良好。

台积电 N3E 将进一步扩展其 3nm 系列,以增强性能、功率和良率。公司还观察到 N3E 的客户参与度很高,N3E 的量产计划在 N3 之后一年。

面对大幅提升半导体计算能力的持续挑战,台积电专注于研发工作,通过提供领先的技术和设计解决方案,为客户的产品成功做出贡献。2021年,公司开始风险生产3nm技术,这是利用3D晶体管的第6代 平台,同时继续开发当今半导体行业的领先技术2nm。此外,公司的研究工作推进了对2nm以上节点的探索性研究。台积电 2nm 技术已于 2021 年进入技术开发阶段,开发有望在 2025 年实现量产。

台积电还在 2021 年 10 月推出了 N4P 工艺,这是 5nm 技术平台的以性能为中心的增强。N4P 的性能比原始 N5 技术提高11%,比 N4 提高 6%。与 N5 相比,N4P 还将提供 22% 的功率效率提升以及 6% 的晶体管密度提升。

台积电于 2021 年底推出了 N4X 工艺技术,与 N5 相比,性能提升高达 15%,或在1.2 伏时比更快的 N4P 提升高达 4%。N4X 可以实现超过 1.2 伏的驱动电压并提供额外的性能。台积电预计 N4X 将在 2023 年上半年进入风险生产阶段。凭借 N5、N4X、N4P 和 N3/N3E,台积电客户将在其产品的功率、性能、面积和成本方面拥有多种极具吸引力的选择。

在笔者看来,这将是更令人兴奋的台积电技术研讨会之一。台积电 N2 一直处于 NDA 之下,而 IDM 代工厂一直在泄露他们即将推出的 2nm 工艺的细节。这是一个经典的营销举措,今天没有竞品,明天再说。

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