三安集成砷化镓代工平台助力WiFi 6E推广

（全球TMT2022年6月30日讯）三安集成凭借成熟的GaAs HBT/p-HEMT工艺平台，是目前国内唯一一家有能力量产WiFi 6E芯片的企业。目前，三安集成已与国内头部射频企业达成深度合作，实现多款WiFi 6E前端模块的量产，产品覆盖18.5-23.5dBm中高功率等级，具备优越的TX端线性功率和极限1.5dBm的RX端NF值。客户端产品已经成功打入国际市场，双方也正在针对下一代WiFi产品展开新一轮合作。

三安集成的GaAs HBT/p-HEMT出货量在国内一直保持领先；去年8月，三安集成的滤波器产品也进入了全球主流射频前端平台。三安集成成熟的制造管理和可靠的产能保证是帮助客户快速抢占市场的利器。继承母公司三安光电二十年化合物半导体制造管理经验，三安集成发展了成熟全面的砷化镓HBT/p-HEMT工艺型谱，支持客户在复杂通信场景下的不同应用需求。三安集成面向未来市场，积极投入产能，在泉州南安芯谷园区建设了2,300亩的制造基地，规划了20,000片6寸砷化镓晶圆和256Mu颗双工器的月产能，为客户产品落地和快速迭代提供可靠支持。