ASML新一代光刻机横空出世:ASML 冲刺 0.55 NA EUV 光刻机
扫描二维码
随时随地手机看文章
近年来国内科技迎来飞速发展,但看似繁荣昌盛的背后,也隐藏了诸多的隐患,困扰我们许久的“缺芯少魂”问题,至今都未能很好的解决,和老美之间的科技竞争,已经被摆上了台面。
中国工业起步较晚,也导致了在半导体领域基础不稳固,导致最先进的制程工艺卡在了14nm上,而且还要高度依赖于海外的技术,而华为之前就是太过于相信“科技无国界”,导致吃了大亏。
华为有能力设计出尖端的5nm芯片,但凭借着国内工艺根本制造不出来,未能展开全产业链的布局,也导致先进的技术无用武之地,好在华为已经习惯了“技术创新”,并没有因此而陷入困境当中。
说白了现阶段的科技竞争,就是搭载在芯片工艺基础上的,谁能够获取更为先进的芯片,就能够在未来掌控全局,目前国内的企业也在芯片领域,展开了全面的冲刺,好消息也不断的传了出来。
提到先进的芯片制造,不得不提的就是EUV光刻机了,ASML作为全球唯一的厂商,在设备进出口上,已经遭到了老美的严格管控,无法获取先进的光刻机,也让国内芯片产业停滞不前。
而如今老美意在重塑本土半导体产业,因此短期之内放开EUV光刻机供应,基本上是不存在任何的可能性的,原因就在于ASML也只是组装厂,光刻机是集结了来自全球20多个国家的尖端产物。
在老美的相关限制下,反而加速了华为的成长,5G技术更加的精进,坐稳了领头羊的位置,在技术上至少领先了欧美2-3年,除了在5G领域的成就之外,我国在航空航天等等领域上,也都实现了赶超。
为了追赶台积电,很显然三星也在努力的采购ASML的最新一代光刻机,而花费也是巨大的。
据韩国媒体报道称,三星电子和ASML就引进今年生产的EUV光刻机和明年推出高数值孔径极紫外光High-NA EUV光刻机达成采购协议。
High-NA EUV光刻机精密度更高、设计零件更多,是延续摩尔定律的关键,推动2nm以下制程,估计每台要价4亿美元。
ASML今年只能生产50台EUV设备,交货周期为1年6个月,ASML有限的生产能力和较长的交货时间正加剧各大晶圆代工厂订购 High-NA EUV光刻机的竞争。
在这之前, Intel已率先与ASML采购5台这款新设备,还宣称2024年初就能生产2nm、2024 年下半更能生产1.8nm。台积电称会在2024年拥有ASML次世代最先进的光刻机。
有消息人士透露,三星电子已获得ASML今年EUV光刻机产能中的18台。这意味三星仅在EUV光刻机上就将投资超过4兆韩元。
新建光的刻机制造的车间,ASML已正式做了决定
ASML是世界上最好的光刻机供应商,他们的DUV光刻机和EUV光刻机,已经占据了中、高端的市场。
而EUV光刻机的出现,让台积电、三星、英特尔等公司,都在采购EUV光刻机,但因为产能的限制,三星等公司的EUV光刻机,也出现了严重的短缺。
据报道,三星公司很早以前就表示,希望ASML公司可以为其生产更多的EUV光刻机和其他设备,同时也想要优先采购新一代的光刻机。
ASML公司在韩国建立了EUV光刻机的生产基地,以满足EUV光刻机的生产需求,并将EUV光刻机交给三星等公司。
紧接着ASML宣布,将扩大EUV光刻机等设备的生产规模,在2022年、2023年完成115部EUV光刻机的生产,加快NAEUV光刻机的研发。
现在ASML已经下定决心,要建立一条新的光刻机生产线,让光刻机的产能更上一层楼。
ASML公司的官方信息显示,新加坡的第二个生产车间将会在2023年初投入生产。
扩建后,新加坡光刻机的产能将翻三番,而全球产能也将翻一番。
ASML之所以会在新加坡扩大产能,建造新的光刻机,也是有原因的。
首先,对光刻机的需求量,已经越来越大了。
由于全球缺芯,各大晶圆厂纷纷加大产能,三星将投入2000亿美金扩大生产规模,而台积电、英特尔等公司则打算投入1000亿美金扩大生产规模。
就连中芯国际、格芯、联电等芯片代工企业,也都开始扩充自己的芯片生产规模,而三星、SK、海力士、美光等公司,都在不断地提高自己的生产技术,对光刻机的需求量也越来越大。
此外,ASML公司还透露,由于全球缺芯,导致了各个大型晶圆厂的产能扩张,扩大生产所需的光刻机和其他设备,在接下来的两年里,都会有大量的缺货。
这也是ASML公司不断扩充其能力的一个重要因素。
其次,亚洲是ASML最大的市场。
ASML公司的总部位于荷兰,但是ASML公司是一家全球性的公司,它的研发和生产,涉及到了40多个国家和地区。
而ASML的生产基地遍布世界各地,荷兰,德国,美国,新加波,更是遍布世界各地。
但从市场角度看,ASML最大的市场是亚洲,它的主要依靠中国、韩国,单是中韩两国的芯片公司每年就为ASML带来超过130亿欧元的收入。
用于生产 2nm 芯片的 ASML 新款光刻机预计在 2025 年首次投入使用,对芯片厂商而言,“2nm 工艺战”已经打响。
对于芯片厂商而言,要想发展先进制程,光刻机是关键设备。而从工艺技术和制造成本综合因素考量,EUV 光刻机(极紫外光刻)被普遍认为是 7nm 及以下工艺节点的最佳选择。目前,在全球范围内仅有荷兰的 ASML 公司能供应 EUV 光刻机。
据介绍,ASML 的 EUV 光刻技术使用 13.5 nm 的波长(几乎是 X 射线范围),在微芯片上形成精细的线条。用于大批量制造,以创建先进的微芯片(7 nm、5 nm 和 3 nm 节点)高度复杂的基础层,并支持新颖的晶体管设计和芯片架构。
日前,在 2022 SPIE 高级光刻会议上,ASML 介绍了 EUV 的最新进展。
根据 ASML 最新消息,新款 EUV 光刻机正在研发中,NA 将从 0.33 增加到 0.55(NA 是光学系统的数值孔径,表示光线的入射角度),2nm 工艺的芯片都将依赖其实现。
为什么要冲刺高 NA EUV 光刻机?
光刻系统所能达到的分辨率是光刻收缩的主要驱动因素之一,它主要由所用光的波长和光学系统的数值孔径决定。更短的波长可以打印出更小的特征;更大的数值孔径可以更紧密地聚焦光线,也能够带来更好的分辨率。
ASML 光刻系统的发展一直是通过减少波长和增加数值孔径来进行演进。
目前,ASML 的主力产品是 0.33NA EUV 光刻机,并正在大批量生产中。对于 0.33 NA 系统,ASML 正致力于通过增加吞吐量和降低总能量来减少每次曝光所需的能量。
在发力 0.33 NA EUV 光刻机的同时,ASML 也在冲刺研发 0.55 NA EUV 光刻机。