台积电美国5nm芯片厂取得突破：成美最先进半导体工艺

台积电在美国建设的5nm晶圆厂日前取得了重要进展，位于美国亚利桑那州的Fab 21工厂举行了上梁典礼。

据台积电介绍，这次的上梁典礼约有4000多名台积电员工及合作伙伴参加，他们一起庆祝了台积电5nm工厂的里程碑，这意味着工厂的基础设施差不多完工，后面就是要安装设备、调试了。

按照台积电的规划，这座芯片工厂将于2024年正式量产，第一期月产能约为2万晶圆，以5nm工艺为主，这将是美国最先进的半导体工艺。

不过台积电在美国建5nm芯片厂的做法也不是没有代价，那就是成本太高，此前已经退休的台积电创始人张忠谋认为美国试图增加其国内芯片产量的是浪费而且昂贵的徒劳之举。

张忠谋认为，美国缺乏在晶圆厂工作的人才，而且也不像台湾的芯片工厂那样可以三班倒以实现7x24小时生产，还有就是美国无法在成本上无法竞争，在美国制造芯片的成本比台湾高50%。