Inpria与SK hynix联合开发金属氧化物抗蚀剂，降低新一代DRAM的制版复杂性

JSR株式会社(JSR Corporation)今天宣布加速与SK hynix Inc.的合作开发进程，以便将JSR旗下公司Inpria的极紫外光刻(EUV)金属氧化物抗蚀剂(MOR)应用于制造先进的DRAM芯片。Inpria拥有广泛专利的EUV金属氧化物光刻胶平台使客户能够高效地对先进节点设备架构进行制版。 

Inpria的材料解决方案提供可大幅降低EUV制版成本所需的性能，并能够与成熟的工艺和设备配置兼容。Inpria的MOR可通过标准旋涂工艺来使用。 

SK hynix研发工艺负责人BK Lee表示：“EUV制造工艺很复杂，需要尖端材料。氧化锡抗蚀剂有望为新一代先进DRAM芯片的制造提供所需的高性能，并进一步降低制造成本。” 

JSR高级管理人员Tadahiro Suhara表示：“JSR的技术一直以材料创新为基础。我们致力于通过实现极小特征尺寸的高效印刷技术来加速推进SK hynix的技术路线图。该科学创造具有开创性，同时也具有经济性。” 

EUV已经在商业化生产中使用，用于半导体制造业极为先进的光刻工艺。而且，随着业界在芯片制造中向更小的临界尺寸发展，EUV的使用量预计将大幅增加。 

Inpria是金属氧化物EUV抗蚀剂的领导厂商，已利用EUV光刻曝光系统实现了全球领先的精细分辨率。JSR于2021年收购了Inpria，并且随着EUV应用的不断增加，正在投资扩大生产能力，加强客户支持服务，以实现大批量制造。