新思科技推出射频设计参考流程和配套设计解决方案帮助提升三星8nm产能

（全球TMT2022年8月11日讯）新思科技近日宣布推出射频（RF）设计参考流程和配套的设计解决方案套件（DSK），以加快三星电子（以下简称为"三星"）的8nm射频低功耗FinFET工艺的设计并提高产能，从而帮助双方客户加速开发用于5G/6G应用中的射频设计。8nm射频设计参考流程采用了新思科技和Ansys的无缝整合的解决方案，助力下一代射频设计提高完成质量，缩短完成时间，降低实现成本。

全新推出的8nm 射频设计参考流程简化了开发过程，能够通过行业领先的电路仿真和版图能效比以及精确的电磁（EM）建模，加速版图设计周转时间。该参考流程纳入了使用新思科技和Ansys的工具进行射频设计的成熟方法，包括原理图设计、仿真、版图、提取、电磁（EM）仿真和物理验证。