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[导读]寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容,但由于布线之间总是有互容,互容就好像是寄生在布线之间的一样,所以叫寄生电容,又称杂散电容。寄生电容一般是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。

寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容,但由于布线之间总是有互容,互容就好像是寄生在布线之间的一样,所以叫寄生电容,又称杂散电容。寄生电容一般是指电感电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上,一个电容等效于一个电容,一个电感,和一个电阻的串联,在低频情况下表现不是很明显,而在高频情况下,等效值会增大,不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感,ESR就是等效电阻。不管是电阻,电容,电感,还是二极管,三极管,MOS管,还有IC,在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值,电感值。

1、另一方面传感器除有极板间电容外,极板与周围体(各种元件甚至人体)也产生电容联系,这种电容称为寄生电容。它不但改变了电容传感器的电容量,而且由于传感器本身电容量很小,寄生电容极不稳定,这也导致传感器特性不稳定,对传感器产生严重干扰。2、分布在导线之间、线圈与机壳之间以及某些元件之间的分布电容等,这些电容称为寄生电容,它们的数值虽小,但是却是引起干扰的重要原因。

所有实际电路元件如电感器、二极管和晶体管都有内部电容,这会导致它们的行为偏离理想电路元件的行为。此外,任何两个导体之间总是存在非零电容;这对于间隔很近的导体(例如电线或印刷电路板走线)可能很重要。电感器或其他绕线组件的匝之间的寄生电容通常被描述为自电容。然而,在电磁学中,术语自电容更正确地指的是一种不同的现象:一个导电物体的电容,而不参考另一个物体。

寄生电容是高频电路中的一个重要问题,通常是限制电子元件和电路的工作频率和带宽的因素。

寄生电容本身不是电容,根据电容的原理我们可以知道,电容是由两个极板和绝缘介质构成的,那么寄生电容是无法避免的。比如一个电路有很多电线,电线与电线之间形成的电容叫做寄生电容。寄生电容一般在高频电路中会对电路造成很大影响,所以电路在布线的时候要特殊考虑。

寄生电容一般是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,和一个电阻的串连,在低频情况下表现不是很明显,而在高频情况下,等效值会增大,不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感,ESR就是等效电阻。不管是电阻,电容,电感,还是二极管,三极管,MOS管,还有IC,在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值,电感值。

注意一下杂散电容,寄生电容,分布电容这三个说法,一些人认为这三个说法区别不大,只是适用场景不同,针对器件时多用“寄生电容”,针对系统时多用“分布电容”。在我的理解里,这三者有一些细微的区别

寄生电容:在现代工艺水平下,生产器件的某个功能时所不可避免地产生的另一种现象,比如现代生产二极管的时候,由于工艺限制无法制作出理想二极管,生产时不可避免的产生了电容。

分布电容:一般不是针对单个器件的,多数是讲在电路中产生的附加电容,例如电路中两个器件,它们肯定会有电容存在;同理,两条平行的输电线路间肯定也会有电容存在。

杂散电容:除以上两种电容外的其它形式的电容,例如两个器件、导体相互感应所产生的电容等。

杂散电容,寄生电容,分布电容的电容值可能极小,但是在特高频、超高频等情况下有时候还是不能忽略的。此类型电容理论上无法消除,只能尽可能减小(有害方面)或者加以利用(有益方面)。

寄生电容的危害?

(一)人身效应:如果收音机可变电容器的定片接地而动片不接地,那么,由于动片是与轴焊在一起的,因此当人的手与轴接触时,就会有一个寄生电容Cn并联在振荡回路中(图4)。Cn可以认为是人体与地球之间填充着鞋底或皮肤(介质)所构成的。这样,调谐就是在并联了Cn的情况下进行的。调谐完成后,人的手离开轴,Cn也就没有了,因而回路又失谐了。这在长(中)波段表现为音量减弱,在短波段则常常使电台“跑掉”。这种现象称为“人身效应”。为了避免它,收音机的动片轴一般要接地,而定片则用绝缘柱子支起来离开底壳。

(二)起始电容:可变电容器的动片完全旋转出来之后,电容量并不为零,甚至还相当大。这是因为一般可变电容器的动片、轴、底壳是相通的,动片虽然完全旋出来了,但轴与定片之间,定片通过绝缘子与底壳之间都还有相当大的寄生电容存在。定片对轴和对底壳的电容并联起来称为可变电容器的“起始电容”,一般为10到50微微法。起始电容使振荡回路的调谐范围变窄,特别是使它不能用到更高的频段。起始电容随温度而变化也成为振荡频率不稳定的主要原因。

(三)寄生振荡:有时收音机会发出一种刺耳的叫声,这常常是由于低频部分的寄生电容或寄生电感引起正反馈所造成的寄生振荡。例如,当输出变压器的引线与第一低放级的引线相近时,通过寄生电容和两次放大倒相,就成了正反馈,由于经过放大,因而容易满足振荡条件。如果我们把最关紧要的两根线拉开,消除寄生电容,正反馈途径被切断,啸叫声也就消失了。

(四)接线柱的考究:许多仪表的输入端都做成接线柱的形式。前面曾经指出,接线柱的安装电容较大,因而仪表的输入电容也将很大。对于低频信号,安装电容的危害倒不显著,可是在信号频率很高时,安装电容相当于一个低阻抗,分去许多信号电流,仪表的灵敏度就大大下降。因此用接线柱做输入端的仪表不能用来测量高频率的弱信号。一般的电子光伏特计,特别是高频毫伏表和高频微伏表,必须用特别的探头式输入端。高频信号首先进入探头内,经过输入电容极小的一种二极管检波后,再进行放大和测量。如果把一个用接线柱做输入端的电流表串接在高频振荡回路的高压部分(即图5的1、2两点间),两个接线柱的安装电容CC2将和回路电容C相并联,这样势必改变回路的振荡频率,而测量的误差也会因C1C2分流而变得很大。如果电流表A串接在低压部整码、b两点之间,则安装电容C2被A表内阻短路,C1则根本不存在,所以测量才是准确的,回路频率也没有发生变化。

(五)高频增益跌落:一般低频放大器的增益都随着频率的增加而降低,这是因为放大器的负载上并联着寄生电容(包括下级电子管的极间电容、安装电容、引线电容等)。频率愈高,电容阻抗愈低,从寄生电容直接入地的高频电流愈多,因而高频增益(放大量)会跌落下来。前面曾经指出屏蔽线内外导体间寄生电容较大,如果在高频放大器的栅极接上屏蔽线,无异于增加其输入电容,可想放大倍数是会大大降低的,因而放大器灵敏度下降。

(六)变压器的附加设施:制作或修理过扩音机的人,也许曾经注意到扩音机强放级的变压器的两端常常并联着一个阻值不大的电阻。如果取掉这个电阻,扩音机的高频响应就特别刺耳,有时还发现强放管有过载现象。为什么会这样呢?只要想想变器两端都存在着较大的寄生电容就不难明白了。如果变压器初级电感是10亨,寄生电容是50微微法,则在初级构成谐振频率为7150赫的振荡回路。当信号频率在7千赫附近时,放大量就大大增加,于是声音变得尖锐刺耳,有时也使电子管过载。如果给这个振荡回路并联一个电阻,谐振现象就不会发生,因为回路衰减大,振荡被阻尼了。前曾述及变压器初次级间寄生电容很大,这个电容会造成高频的直通,破坏变压的匹配功能和对称性,而且使得一些脉冲干扰信号畅通无阻。这种情况对于工作在干线通信、测量、核子物理等方面的设备中的电源变压器、耦合变压器或匹配变压器都是不能容许的。为了消除这个电容,在初次级间应加一层金属箔(注意,切不可构成短路环!)用引线使之接地,这样级间电容就被“屏蔽”掉了,亦即变成两个对地的电容了。为了尽量减小初次级的动态电容,运用在脉冲设备中的变压器常常采用分段绕法,因为许多个分段的总电容将是各段电容的串联,数值会下降。

(七)电感线圈的极限频率:如果考虑到并联在线圈两端的寄生电容,线圈实际上是一个振荡回路,其谐振频率f0=1/2πLC0(1/2)。C0是寄生电容。如果工作频率等于f0,线圈就相当于电阻;工作频率高于f0,线圈就成了一个电容器。所以通常用f0的1/5或1/10为极限工作频率。要提高线圈的极限工作频率,必须减小寄生电容,因而采用蜂房式绕组、分段绕组等形式。但是,一般多层线圈的极限频率还是难于达到1兆赫以上。对于单层线圈,为减少寄生电容,应该绕得稀,最好不用骨架,或用介电常数ε值小的筋条式骨架。

如何避免寄生电容?在线路中所有的引线间都是有电容,所以要尽量的减少引线距离,和集中接地,可以减少很多寄生电容。

MOS管规格书中有三个寄生电容参数,分别是:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。该三个电容参数具体到管子的本体中,分别代表什么?是如何形成的?

功率半导体的核心是PN结,从二极管、三极管到场效应管,都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型,其中绝缘栅型也称MOS管(Metal Oxide Semiconductor)。

根据不通电情况下反型层是否存在,MOS管可分为增强型、耗尽型——

寄生电容形成的原因

1. 势垒电容:功率半导体中,当N型和P型半导体结合后,由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中,因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区(该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行,最终使扩散运动达到平衡);

2.扩散电容:当外加正向电压时,靠近耗尽层交界面的非平衡少子浓度高,远离非平衡少子浓度低,且浓度自高到底逐渐衰减直到0。当外加正向电压增大时,非平衡少子的浓度增大且浓度梯度也增大,外加电压减小时,变化相反。该现象中电荷积累和释放的过程与电容器充放电过程相同,称为扩散电容。

MOS管寄生电容结构如下,其中,多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。

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