大幅提速降功，台积电将于2025年实现2nm芯片量产！

据悉，台积电相关人员称在相关先进工艺方面的未来规划，预计于2025年实现批量制造生产N2(2nm)芯片，将采用纳米片晶体管架构，支持Chiplet等技术。

在目前台积电的工艺上，2020年台积电使用第一代EUV(极紫外光刻)技术先进工艺平台量产的N6(6nm)，包括7nm和6nm，产品组合包括手机、CPU/GPU/XPU处理器等各种领域，同时还包含有RF射频和各类消费类应用，预计今年底产品NTO(New Tape Out)将多于400个。

其实2020年的时候台积电5nm芯片也批量生产了，预计年底，5nm的N5/N5P及4nm的N4P/N4X产品NTO将多于149个，基于N4P的V0.9IP已经在今年6月份左右完成，高端接口也会在今年9月份完成。

N3/N3E(3nm)芯片是目前台积电最先进的逻辑制程，相较于5nm，基于N3E工艺的芯片密度相比之前高出1.3倍，逻辑密度门增加1.5倍，相同功率能耗的前提下运算速率会提升10~20%，或在相同速率下功耗会降低30~40%。3nm系列芯片的不同的地方主要在于使用了FINFLEX这项技术，主要是可以在提升内部密度的情况下更好的达到速率和能耗的均衡。

台积电预计在2025年进行对N2(2nm)芯片的批量制造生产，2nm芯片采用纳米片晶体管架构，支持Chiplet(小芯片)技术。相较于上面的N3/N3E(3nm)芯片，2nm在相同功耗下又会有10%-15%速率提升，或在相同速率下功耗也可降低25%-30%，晶圆的密度相比之前提高一倍，而N2芯片将主要应用于手机SoC、HPC等领域，做出更好的能耗和速率。