SK海力士宣布在韩国清州建设M15X新工厂，总投资15万亿韩元

9月20日消息，据韩国媒体BusinessKorea报道称，SK海力士子公司Solidigm计划在美国加利福尼亚州投资超过1亿美元(约合人民币7.01亿元)建立半导体研发中心。

SK海力士宣布，公司为了奠定未来成长基础，将在韩国忠北清州市建设新半导体生产工厂M15X(eXtension)。据介绍，SK海力士综合考虑市场情况等，决定在已确保的用地上提早开工M15的扩建工厂M15X。

根据计划，SK海力士将于今年10月在韩国清州科技城产业园区内约6万平方米的用地开建M15X，并目标于2025年初竣工。在此期间，SK海力士计划共投资15万亿韩元(约合人民币758.3亿元)建设M15X工厂并引进生产设备。据了解，M15X是复式结构，其规模与现有的清州M11和M12两座工厂的总和相近。另外，SK海力士对于附近的M17新工厂计划，将考虑半导体市况等经营环境决定开工时间。

排名第二的是SK海力士，得益于对英特尔NAND闪存业务收购的完成(成立了Solidigm公司运营)，使得SK海力士在二季度的销售额环比增长12.1%，达到了36.15亿美元，市场份额也由18%增至19.9%，超越铠侠，成为了全球第二大NAND闪存厂商。

铠侠NAND闪存在二季度的销售额为28.32亿美元，环比下滑16.3%，所占的份额由18.9%降至15.6%。

排名第四的是西部数据，二季度销售额为24亿美元，环比增长7%，市场份额提升0.7个百分点，增至13.2%。

据路透社报导，知情人士透漏，就在美国“芯片法案”正式完成立法的之后，韩国存储芯片厂商SK海力士将在美国建设一座先进的芯片封装工厂，并将于2023 年第一季左右破土动工。

报导引用一位不愿透露姓名的消息人士说法表示，SK海力士赴美新建工厂的计划预计将耗资“数十亿美元”，未来将在当地创造1000个工作机会，并将于2025~2026 年进入量产阶段。该消息人士还指出，目前预计的工厂位置，可能在拥有工程相关人才的大学附近。

受美国芯片法案限制条款及美国持续限制大陆半导体产业发展的背景之下，韩国三星电子和SK海力士开始重新评估中国大陆投资案。目前三星在中国西安拥有投资额超百亿元的存储芯片工厂，SK海力士则在收购英特尔闪存业务之后，接手了其在大连的闪存工厂。

报道称，一位资深韩国官员表示，随着时间过去，韩国在中国的数项芯片投资案可能会遭“放弃”，“要是中方不开心，得去跟美国谈”，这显示美国力促芯片大厂脱中转美的努力，初见成效。

SK Securities研究主管兼韩国政府半导体政策顾问Kim Young-woo说，芯片法案当中防堵中国大陆的“护栏”条款，促使韩国芯片厂未来布局从中国转向美国。美中科技战让韩国厂商反思，如今的地缘政治风险，让他们更偏向美国。

SK海力士计划先为客户端固态硬盘(SSD)供应238层NAND，之后逐步将产品使用范围扩大至智能手机和大容量服务器固态硬盘，并于明年推出该产品的1Tb扩容版。

值得注意的是，在今年7月底，美光已经宣布量产了业界首款232层NAND芯片。虽然SK海力士宣布的238层NAND芯片堆叠层数要更高一些，但目前仍然还是纸面上的宣布，量产时间还要等到明年上半年。

，韩国总统尹锡悦(Yoon Suk-yeol)也在积极推动韩国龙仁市的芯片供应聚落，SK海力士打算斥资120兆韩元(约924亿美元)兴建四座晶片厂。汉阳大学(Hanyang University)电子工程学教授Park Jae-gun说，若龙仁聚落完工、如期2027年4月运作，那么SK海力士在清州建立新厂的计划就没那么急迫。

TrendForce 最新发布的6月研究报告指出，俄乌冲突、通货膨胀高涨对消费者电子产品需求造成负面冲击，也导致整体DRAM库存增加;这是第三季DRAM价格下滑3%~8%的主因，针对PC、智能手机设计的DRAM产品有跌价超过8%的可能。