基于N3制造工艺大规模量产芯片,并于明年年初交付首批产品
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消息称台积电将于今年9月开始对3纳米芯片进行量产。这下,三星要坐不住了!虽然三星在6月30日称自己已经实现了3纳米的量产。不过,似乎至今都没有客户预定的消息。而相比于三星直接硬上全新的「GAAFET」,台积电依然采用了旧的「FinFET」技术。台积电的策略是,通过复用之前成熟稳定的技术,让产品稳定性更强,更好地控制成本,同时争取更多时间实现对GAA晶体管架构的优化。
显然,台积电成功了。9月开始量产,报道称,台积电将于今年9月开始基于N3制造工艺大规模量产芯片,并于明年年初向客户交付首批产品。
一般来说,台积电会在3月至5月开始对新节点进行大规模量产。但N3节点的开发时间比平时要长,这就是为什么苹果即将推出的iPhone芯片将使用不同的节点。台积电的3纳米N3制程在完成技术研发及试产后,预计第三季度下旬开始,投片量会大幅拉升,而到第四季度,预计月投片量将达上千片水准,开始进入量产阶段。
业内人士指出,依据台积电N3制程的试产情况,预计量产后的初期良率表现会比5纳米的N5制程初期还好。台积电总裁魏哲家也表示,台积电的N3制程将具备良好良率,2023年即可实现稳定量产,并于上半年开始贡献营收。
苹果抢得头彩,苹果将是第一家采用台积电3纳米投片客户。业界人士指出,苹果下半年将首度采用台积电3纳米芯片,首款产品可能是M2 Pro处理器,而明年包括新款A17处理器,以及M3系列处理器,都会采用台积电的3纳米。
台积电的3纳米N3制程在完成技术研发及试产后,预计第三季度下旬开始,投片量会大幅拉升,而到第四季度,预计月投片量将达上千片水准,开始进入量产阶段。业内人士指出,依据台积电N3制程的试产情况,预计量产后的初期良率表现会比5纳米的N5制程初期还好。台积电总裁魏哲家也表示,台积电的N3制程将具备良好良率,2023年即可实现稳定量产,并于上半年开始贡献营收。
苹果抢得头彩,苹果将是第一家采用台积电3纳米投片客户。业界人士指出,苹果下半年将首度采用台积电3纳米芯片,首款产品可能是M2 Pro处理器,而明年包括新款A17处理器,以及M3系列处理器,都会采用台积电的3纳米。
报告指出,超高端智能手机批发价在 600 美元(约 4314 元人民币)及以上,占 2022 年 Q2 智能手机总收入的一半,略低于前两个季度。除了 100-190 美元 (批发) 的中端价位外,191-299 美元和 300-399 美元价位也是智能手机营收的重要来源,占第二季度智能手机营收的 22%。
Strategy Analytics 表示,在 Top 20 最高营收的智能手机型号中,共有 8 款机型属于这两个价位。与 100-190 美元价位相比,这两个价位的竞争机型也较少。了解到,报告称苹果 iPhone SE 5G、三星 Galaxy A73 5G、vivo V23 5G、小米 12 5G 属于 300-399 美元批发价的高端产品,而其他 6 款产品属于 191-299 美元批发价的高端产品。
如今在国内市场上一说起华为,我们大家都还是比较熟悉的,作为中国第一大的民营科技企业,华为公司的实力自然是十分雄厚的,最近这几年,随着移动互联网的快速发展,华为公司也终于迎来了快速发展的时机,除了在移动通讯领域发展的十分迅猛以外,华为还在智能手机和5G网络领域也都取得了非常不错的成绩,就在不少人都为华为感到骄傲的时候,华为却突然遭到了打击和制裁!
在国际市场上,自从华为被打压以后,很多国家的运营商在选择和华为5G合作的时候都一直态度摇摆不定,有的甚至还直接将华为5G给排除在外,这也让华为损失了不少的5G订单;除此以外,谷歌也直接停止了对华为安卓手机GMS服务的授权,这让华为手机在国际市场上的销量也下滑了不少,不过好在华为并没有因此而放弃发展,反而在国际市场上还越挫越勇!
随着打压力度的不断升级,华为一直以来的芯片合作伙伴台积电也不再给华为生产海思麒麟芯片了,这直接导致华为的海思麒麟芯片成为了绝唱,要知道对于华为这样的科技企业来说,没有了芯片影响无疑是巨大的,毕竟华为智能手机一年的出货量就超过了2亿部,这也就意味着华为一年就需要2亿多枚芯片,而现在芯片短缺已经成为了华为发展的最大问题!
就在很多人都认为芯片封锁之后,华为在芯片行业将无法再更进一步的时候。没想到华为下一代的海思麒麟芯片再次被曝光,这一次华为所研发的芯片采用的是3nm工艺制程,根据曝光的名字来看,华为3nm制程工艺的芯片暂时命名为麒麟9010。虽然说华为在芯片代工领域被限制了,但是华为依然还是全球排名前10的芯片设计企业,所以华为在芯片设计领域还拥有着超强的实力,而这一次3nm芯片被曝光,也表明华为一直都没有停止过在芯片领域的研发!
美国《芯片法案》成为全球焦点之际,晶圆代工“一哥”台积电非常罕见地在中国大陆公布了其先进技术规划。
钛媒体App 8月19日消息,昨日南京举行的2022年世界半导体大会上,台积电(中国)有限公司副总监陈芳表示,台积电N3(又称3nm)芯片将在今年下半年进入量产;3nm加强版N3E将会在2023年下半年(年底)量产,应用于移动手机芯片、HPC(高性能计算)等领域。
昨天有媒体报道称,陈芳表示“如果有手机的客户当下采用3nm芯片,明年产品就能问世”。钛媒体App多次回放了现场视频和录音资料,证实台积电昨日并未提到相关信息。因此,如无意外,这是一条不实消息。
同时,台积电(南京)有限公司经理苏华昨日首次公布,其南京Fab16厂目前主要制造12nm、16nm工艺的芯片。而南京厂扩建的 1B 期28nm工艺产线,即台积电南京二厂,预计将在2022年下半年量产。
实际上,2021年,台积电占据全球芯片代工市场份额超过57%,在7nm/5nm细分市场几乎完全占据主导地位。
目前唯一能与台积电在先进技术上竞争的是三星电子。7月25日,三星电子宣布在韩国京畿道华城园区量产基于GAA晶圆架构的3nm芯片,应用于HPC、移动SoC等领域,韩国媒体TheElec报道称,3nm客户包括上海磐矽半导体有限公司(PanSemi),高通等。
本次世界半导体大会台积论坛上,台积电团队详细公布了先进工艺、特殊工艺、先进封装技术、扩建产能等最新进展和未来规划。
其中在先进工艺方面,2020年量产的N6(6nm),是台积电第一代利用EUV(极紫外光刻)技术的先进工艺平台,包括7nm和N6在内,产品组合包括手机、CPU/GPU/XPU处理器领域,以及RF射频和消费类应用,预计今年底产品NTO(New Tape Out,指新产品流片)将超过400个;台积电5nm芯片已在2020年量产,预计年底,5nm N5/N5P及4nm N4P/N4X产品NTO将超过150个,基于N4P的V0.9 IP已经在今年二季度完成,高端接口预计今年第三季度得以完成。
N3/N3E(3nm)芯片是目前台积电最先进的逻辑制程,相较于5nm,基于N3E工艺的芯片密度高出1.3倍,逻辑密度门增加1.6倍,在相同功耗下速度提升15-20%,或在相同速度下功耗降低30-35%。3nm系列的创新主要在于使用FINFLEX技术,可以在提升密度的情况下维持速度和功耗的平衡。基于N3经验,N3E将会在明年底量产,相关逻辑测试芯片及3nm 256Mb SRAM(静态随机存取存储器)良率达到80%左右。