每日一句

压摆率：简单说就是系统在进行高低电平转换时所需要的时间，如数据手册的解析图所示：

从图中可以知道，芯片在进行高低电平转换时非常快（一般是ns级别），但是还是需要一定的时间的。

回到今天的H桥，原理图如下：

H桥的组成方式有很多（开关管不一定使用图中的三极管，也可以用mos等一些具备开关特性的元器件），这里就拿上图做举例。

H桥的工作方式简单来说就是上下两边的对管会同时导通，以达到控制电流流向的目的。但是在进行电流方向转换的过程中会存在一个上下管的导通转换问题。

这里做一个夸张假设，假如说，开始电流是从左往右走：

现在需要对电流转向，那在转向的过程中，我们需要关闭左上管Q1以及右下管Q4。之后开通左下管Q2和右上管Q3以完成整个控制过程。

假设Q1与Q2的控制信号来源与同一个控制信号，如下图：

这时如果抛开开关管的开通、关闭时间差异不说，仅仅假设D2的压摆率比D1的压摆率快1ms（夸张假设，仅作为举例说明），这时候会出现Q2开通了，但是Q1还未关闭的问题。，这时就会出现上下管同时导通（串涌现象），此时Q1和Q2就会流过大电流，进而出现发热现象。

在以上例子中，开关管发热主要是由于压摆率的原因导致。而在实际中，除了压摆率以外，开关管的开通速度、寄生参数等因素（会导致上下管同时开通的因素）都会导致相同的问题。所以在实际中需要非常注意！！！