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[导读]建议靠近电源管脚( VDD 尤其重要) 使用一个 10µF 钽电容(低 ESR)和一个 0.1µF 的陶瓷电容并联。增加并联的电容可以有效去除高频干扰。同时为防止浪涌对芯片的损坏,建议在模块电源输入管脚使用一个适合电压的 500mW 的齐纳二极管防止模块的超压损坏。 PCB 布局时,电容和二极管应尽可能靠近模块的电源输入管脚。

振弦采集模块(振弦采集仪核心)电源接口详细情况

VMXXX 模块有多个电源接口,分别为: 宽电压电源输入( VIN)、内核电源( VDD)、 参考电压源( VREF)、 振弦传感器激励电源( VSEN), 各电源共用 GND。

电源输入( VIN): 宽电压 VIN 管脚为模块供电( DC5~15V),推荐电压为 6.0V~10.0V, VIN 可产生内核电源 VDD, 当使用 VIN 管脚为模块供电时, VDD 管脚为输出,输出能力为 200mA, 尽量不要使用 VDD 输出过大电流,以免影响模块内核的正常工作。
内核电源( VDD): 可由 VIN 产生,当不使用 VIN 时,此管脚作为电源输入, 需要外接 DC3.3V电源。 模块工作时峰值电流约为 100mA,建议使用输出能力 200mA 或以上的电压源。 VMXXX 模块
内部有电压校准机制,对 VDD 电压值无严格要求。

参考电压( VREF): 此管脚为输入,应直接连接到 VDD(无需精准的参考电压源)。

激励电源( VSEN): VSEN 为传感器激励过程提供电能,当采用高压激励方法时, VSEN 作为泵压源, 一般情况下 VSEN 电压越高则可获取的激励电压也越高; 当采用低压扫频激励方法时,VSEN电压即是扫频电压。 建议采用200mA 或以上的电压源为VSEN供电,供电电压推荐为DC8V~12V。

注意: VMx1x 模块时, VSEN 可选择是否在内部连接于 VIN,请在确认后再使用 VSEN。请特别注意电源的设计。 振弦传感器返回信号为微弱的正弦波, 为减少电源纹波对传感器信号的影响,建议所有电源均使用纹波较小的 LDO 稳压器。 当使用交流电转直流的供电方式时,模块地线( GND)一定要可靠接地(大地), 某些低端的交流转直流适配器会将交流干扰引入,严重影响模块信号处理质量,甚至完全无法使用。

建议靠近电源管脚( VDD 尤其重要) 使用一个 10µF 钽电容(低 ESR)和一个 0.1µF 的陶瓷电容并联。增加并联的电容可以有效去除高频干扰。同时为防止浪涌对芯片的损坏,建议在模块电源输入管脚使用一个适合电压的 500mW 的齐纳二极管防止模块的超压损坏。 PCB 布局时,电容和二极管应尽可能靠近模块的电源输入管脚。

电源连接示意:

参数复位管脚
RST 管脚为双向管脚, 在不同运行阶段具有不同功能:

上电启动时 RST 管脚为输入,当检测到管脚为低电平时复位参数为出厂值。详见“3.3 恢复出厂参数” 。在启动完成后此管脚为 IIC-SDA 功能。VMx0x 模块的 RST 管脚未连接上拉电阻,为了防止上电时参数复位,外部必须连接2k~4.7k 上拉电阻,其它型号模块此管脚已内置了 4.7k 上拉电阻。

应用领域
应力应变: 结构应力应变、基坑支护、 管廊、 地下工程
仪器仪表: 振弦(采集仪)读数仪表开发。
自动化、 信息化: 结合物联网技术替代传统人工检测。

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