相变存储器有哪些功能?存储器选片技术了解吗?

存储器有很多具体类别，比如快闪存储器、只读存储器、半导体存储器、随机读写存储器等。为增进大家对存储器的认识，本文将对相变存储器的特性与功能以及存储器选片、总线概念予以介绍。如果你对存储器具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。

一、相变存储器的特性与功能

相变存储器兼有NOR-type flash、memory NAND-type flash memory和 RAM或EEpROM相关的属性。

1.一位可变

如同RAM或EEPROM，PCM可变的最小单元是一位。闪存技术在改变储存的信息时要求有一步单独的擦除步骤。而在一位可变的存储器中存储的信息在改变时无需单独的擦除步骤，可直接由1变为0或由0变为1。

2.非易失性

相变存储器如NOR闪存与NAND闪存一样是非易失性的存储器。RAM需要稳定的供电来维持信号，如电池支持。DRAM也有称为软错误的缺点，由微粒或外界辐射导致的随机位损坏。早期Intel进行的兆比特PCM存储阵列能够保存大量数据，该实验结果表明PCM具有良好的非易失性。

3.读取速度

如同RAM和NOR闪存，PCM技术具有随机存储速度快的特点。这使得存储器中的代码可以直接执行，无需中间拷贝到RAM。PCM读取反应时间与最小单元一比特的NOR闪存相当，而它的的带宽可以媲美DRAM。相对的，NAND闪存因随机存储时间长达几十微秒，无法完成代码的直接执行。

4.写入/擦除速度

PCM能够达到如同NAND的写入速度，但是PCM的反应时间更短，且无需单独的擦除步骤。NOR闪存具有稳定的写入速度，但是擦除时间较长。PCM同RAM一样无需单独擦除步骤，但是写入速度(带宽和反应时间)不及RAM。随着PCM技术的不断发展，存储单元缩减，PCM将不断被完善。

5.缩放比例

缩放比例是PCM的第五个不同点。NOR和NAND存储器的结构导致存储器很难缩小体型。这是因为门电路的厚度是一定的，它需要多于10V的供电，CMOS逻辑门需要1V或更少。这种缩小通常被成为摩尔定律，存储器每缩小一代其密集程度提高一倍。随着存储单元的缩小，GST材料的体积也在缩小，这使得PCM具有缩放性。

二、存储器的选片及总线概念

存储器的送入每个单元的八根线是用从什么地方来的呢?

它就是从计算机上接过来的，一般地，这八根线除了接一个存储器之外，还要接其它的器件，这样问题就出来了这八根线既然不是存储器和计算机之间专用的，如果总是将某个单元接在这八根线上，就不好了，比如这个存储器单元中的数值是0FFH另一个存储器的单元是00H，那么这根线到底是处于高电平，还是低电平?岂非要打架看谁历害了?所以我们要让它们分离。办法当然很简单，当外面的线接到集成电路的管脚进来后，不直接接到各单元去，中间再加一组开关就行了。

平时我们让开关关闭着，如果确实是要向这个存储器中写入数据，或要从存储器中读出数据，再让开关接通就行了。这组开关由三根引线选择：读控制端、写控制端和片选端。要将数据写入片中，先选中该片，然后发出写信号，开关就合上了，并将传过来的数据(电荷)写入片中。如果要读，先选中该片，然后发出读信号，开关合上，数据就被送出去了。读和写信号同时还接入到另一个存储器，但是由于片选端不一样，所以虽有读或写信号，但没有片选信号，所以另一个存储器不会“误会”而开门，造成冲突。那么会不一样时选中两片芯片呢?只要是设计好的系统就不会，因为它是由计算控制的，而不是我们人来控制的，如果真的出现同时出现选中两片的情况，那就是电路出了故障了，这不在我们的讨论之列。

那么在高温存储器中的工作原理也是一样的通过电荷的写入，在这里度高温环境的稳定性突破是最为关键的。因为温度越高电子越活跃如何保持能在高温情况下电荷记录并存储刻录是核心关键。

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