代工价格水涨船高，台积电3nm真实性能大缩水

根据台积电之前的消息，3nm节点上至少有5代衍生版工艺，分别是N3、N3P、N3S、N3X及N3E，其中N3工艺是最早量产的，但是这版工艺遭到客户弃用，很大可能就放弃了，明年直接上N3E工艺。

对比N5工艺，N3功耗可降低约25-30%，性能可提升10-15%，晶体管密度提升约70%。

N3E在N3的基础上提升性能、降低功耗、扩大应用范围，对比N5同等性能和密度下功耗降低34%、同等功耗和密度下性能提升18%，或者可以将晶体管密度提升60%，密度上甚至更低了一些。

考虑到近年来摩尔定律一直在放缓，70%左右的密度提升看起来还不错，但这是台积电公布的最好水平，指的是纯逻辑芯片，SRAM缓存的密度就只有20%了，N3E还会更低。

然而20%的提升依然是理论上的美好，台积电之前在IEDM会议上公布了更真实的数据，3nm工艺的SRAM缓存在晶体管密度上只比5nm高出5%，指标大幅缩水。

尽管3nm工艺还有10-15%的性能或者25-30%的功耗改进，但是这些指标显然也是非常理想的情况，实际提升也会跟密度一样存在缩水。