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[导读]众所周知,芯片工艺每进阶1nm,投入就是几何级增长,3nm、5nm工厂的建设资金大约是200亿美元,1nm工艺的投资计划高达320亿美元,轻松超过2000亿元,成本要比前面的工艺高多了。

众所周知,芯片工艺每进阶1nm,投入就是几何级增长,3nm、5nm工厂的建设资金大约是200亿美元,1nm工艺的投资计划高达320亿美元,轻松超过2000亿元,成本要比前面的工艺高多了。

不仅如此,1nm工厂的耗电量也会是个麻烦,相比3nm工厂年耗电量70亿度的水平来说,1nm工厂不会少于80亿度,甚至接近100亿度。

这是什么概念?预计到了2028年,这个1nm工厂的耗电量就相当于全台2.3%的用电量了,台积电所有工厂将占到全台15%以上,影响极大,对供电的要求很高。

近日,有媒体报道称,台积电1nm全球旗舰工厂将落地竹科龙潭园区,目前该项目已经启动并进行项目审批,一切进展顺利。如果审批顺利通过,台积电1nm全球旗舰工厂将于2026年中动工建厂,最早可以在2027年投产,2028年有望实现量产。据悉,台积电1nm工厂的建成将为桃园地区带来上万个就业机会,带动和拉动桃园整个地方经济的发展。此前,台积电此前表示3nm制程将于第4季度量产,并在明年提高营收约中个位数百分比(约4%至6%);升级版的N3E技术开发进度则较计划提前,预计会在明年下半年量产。

台积电美国新厂马不停蹄地建设之际,其最顶尖1nm制程工厂也即将在台湾动工。

据媒体报道,台积电1nm制程工厂将落地于台湾新竹科学园,目前已将计划呈报,若一切顺利,2026年中即可开展建厂作业。

早些时候,台积电位于亚利桑那州的3nm工厂动工引发了对于芯片公司“告别台湾”的担忧。台当局经济部门负责人王美花则驳斥了这一观点,她表示3nm芯片的生产已经在台湾进行,更先进的2nm和1nm开发和生产也在按计划进行。

对于此次台积电1nm工厂的消息,业内人士表示,如果工厂2026年中如期动土,那么最快将在2027年试产,2028年量产。届时,台积电海外厂区的最先进制程仍为3nm,最主要客户的最新芯片仍然依赖于台湾地区厂区。

不过,台积电方面并未释出官方的1nm量产时间表,台积电董事长刘德音不久前出席会议时曾直言,已在思考1nm工厂的建址,也需考虑台湾地区五年后的用电问题。

台积电在先进工艺上的布局深远,除了已经量产的5nm、4nm之外,明年重点量产3nm,2nm工艺则会在2025年量产,1nm工艺也已经开始选址工作,有望于2028年实现量产。但是,1nm芯片工厂的投资却惊人的高,对比3nm、5nm工厂大约200亿美元的建设资金,1nm工艺的投资计划高达320亿美元,轻松超过2000亿元,成本要比前面的工艺高多了。

不仅如此,1nm工厂的耗电量也会是个麻烦,相比3nm工厂年耗电量70亿度的水平来说,1nm工厂不会少于80亿度,甚至接近100亿度。预计到了2028年,这个1nm工厂的耗电量就相当于全台2.3%的用电量了,台积电所有工厂将占到全台15%以上,对于供电提出了更高要求。

至于为什么耗电量这么大,一个重要原因就是1nm需要下代EUV光刻机,总功耗将达到2MW,也就是200万瓦的水平。如果一天24小时运转,那么下代光刻机每天就要消耗4.8万度电,这个成本对芯片制造企业来说是非常高的,绝对的电老虎。

在2019年的Hotchips会议上,台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森(Philip Wong)在演讲中就谈到过半导体工艺极限的问题,他认为到了2050年,晶体管来到氢原子尺度,即0.1nm。

关于未来的技术路线,黄汉森认为像碳纳米管(1.2nm尺度)、二维层状材料等可以将晶体管变得更快、更迷你;同时,相变内存(PRAM)、旋转力矩转移随机存取内存(STT-RAM)等会直接和处理器封装在一起,缩小体积,加快数据传递速度;此外还有3D堆叠封装技术。

对于硅基芯片来说,1nm可能会是这条路线的终点,但是对于人类芯片来说,1nm绝对不会是终点的。

首先、硅基芯片未来会面临很大的发展限制。

一直以来芯片的材料都是以硅材料为主,但是随着芯片工艺的不断提升,传统硅基芯片正在逐渐逼近极限,它的极限在哪里呢?那就是1nm。

而1纳米之所以是硅基芯片的极限,这里面主要基于两点考虑:

芯片的制造工艺就是将晶体管注入到硅基材料当中,晶体管越多性能越强,想要提升芯片的工艺,那就要提高单位芯片面积的晶体管数量。

但是随着芯片工艺的不断提升,单位硅基芯片能够承载的晶体管已经越来越饱和,毕竟硅原子的大小只有0.12nm,按照硅原子的这个大小来推算,一旦人类的芯片工艺达到一纳米,基本上就放不下更多的晶体管了,所以传统的硅脂芯片基本上已经达到极限了,如果到了1nm之后还强制加入更多的晶体管,到时芯片的性能就会出现各种问题。

台积电的芯片制造工艺全球领先,也因此被美国觊觎。在美国的邀请下,台积电开启了赴美建厂的历程,将海外首座5nm工厂建在美国亚利桑那州。一旦工厂建成,就能更好地与客户合作,输出大量的芯片产能。

随着工厂的推进,台积电创始人张忠谋进一步确定会加盖3nm工厂,临近5nm工厂属于二期工程。虽然还没有确定二期工厂的开工时间,但也就是未来几年的事了。

让人没想到的是,苹果要求台积电美国工厂提供4nm工艺,所以到时候台积电也会将工厂工艺持续升级,满足客户多元化的芯片需求。

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