韩媒唱衰台积电3nm制程工艺

韩媒近日在报道中表示，在台积电开始量产3nm制程芯片的时间点，三星电子已经大幅提高了3nm制程芯片的生产良率，已经达到了完美水准，同时认为台积电的3nm制程良率不超过50%。

根据业内的惯例，各大晶圆代工厂商3nm制程工艺的良率都非常保密。前不久台积电董事长刘德音在南方科技园3nm量产暨扩厂典礼致词表示，除了市场需求非常强劲外，台积电3nm制程良率已经和同期5nm量产相当。

据悉，台积电作为全球晶圆代工龙头，也是全球首家宣称3nm量产良率已和5nm初期相当的厂商，实际量产技术能力并在良率稳健才持续扩产，预期良率远优于对手。

由于先进制程判断良率基本均采用的是平均缺陷密度即D0值，业界去年曾传出三星晶圆代工D0值非常大，即良率低于60%。

根据台积电董事长刘德音在南方科技园的说法，3nm良率已经和同期5nm量产相当，半导体业内预估良率大约在80%。