SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证

• 获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证
• 以DDR5积极应对服务器市场，提早克服存储器半导体低迷期
• 第二代10纳米级也一同认证，以多种产品群应对服务器客户

韩国首尔2023年1月12日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）12日宣布，公司研发的第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM获得了英特尔（Intel^®）近期上市的全新第四代Xeon^®服务器处理器（代号为Sapphire Rapids）兼容认证。

全球首获英特尔认证SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM_1

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SK海力士表示：“公司采用1a纳米工艺的DDR5首次在支持DDR5的全新英特尔中央处理器（CPU）上获得兼容性认可，这是具有里程碑意义的成果。将通过目前在量产的DDR5积极应对增长趋势的服务器市场，尽早克服存储器半导体的低迷市况。”

在1月10日(美国时间)公司采用EUV（极紫外线）技术的1a纳米DDR5 DRAM产品获得了英特尔推出的第四代Xeon^®服务器处理器可支持的存储器认证。

业界一直将英特尔公司的“Sapphire Rapids”作为存储器半导体行业反弹的关键，期待着该产品的上市。因为新一代服务器用CPU上市后，现有的服务器需要进行更换，从而高性能存储器的销售会相应出现急剧增长，DDR5就可以满足需求高性能的客户要求。专家们预测，DDR5将尽早成为服务器DRAM市场的主力产品。

SK海力士的DDR5与DDR4相比，功耗最多可减少约20%，性能至少提升70%以上，有望为服务器客户提供高效能功耗比*和降低碳排放量的效果。

* 效能功耗比：每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标

在此次英特尔的DDR5认证，SK海力士还成功获得了第二代10纳米级(1y)DDR5的认证。据此，公司期待以广泛的技术为基础，可以提供客户16Gb、24Gb等多种DDR5产品，服务器DRAM的销售将进一步活跃。

SK海力士DRAM商品企划负责副社长柳成洙表示：“跟进英特尔Sapphire Rapids的上市，我们正在与多数客户为扩大DDR5的采用进行紧密合作，将在持续增长的服务器市场中巩固领先地位。”

英特尔内存和IO技术副总裁Dimitrios Ziakas博士表示：“英特尔一直与SK海力士、JEDEC共同努力，为了实现DDR5与我们最新的处理器优化并兼容紧密合作。第四代Xeon^®服务器处理器与DDR5将为数据中心客户提供最强的性能体验。”

另外，SK海力士还与英特尔合作发行了DDR5白皮书（White paper）。白皮书包含了DDR5的优点以及基于Sapphire Rapids的1a纳米级DDR5优秀性能等内容。公司期待今后对希望采用本公司DDR5的服务器客户，此白皮书能作为参考资料使用。

<SK海力士DDR5 DRAM开发成果>
- 2020年10月，推出全球首款DDR5 DRAM
- 2021年12月，全球首次提供24Gb DDR5样品
- 2023年1月，1a纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证

* Intel, the Intel logo, and other Intel marks are trademarks of Intel Corporation or its subsidiaries.

关于SK海力士
SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器)，NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。

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