聊一聊碳化硅，下一波SiC制造的供应链和成本

今天，我们就来聊一聊碳化硅，下一波SiC制造，供应链和成本。SiC 行业在许多市场都在增长。电动汽车市场正准备转向 SiC 逆变器，正如特斯拉已经做的那样。作为战略合作的一部分，梅赛德斯-奔驰已将 onsemi SiC 技术用于牵引逆变器。因此，SiC 器件的范围得到了广泛认可，并提供了传统 IGBT 的宽带隙替代品。随着行业从内燃机转向电动汽车，采用可以提高效率并提供更远距离和更快充电的新解决方案将为整个动力总成带来好处，和设备制造商希望确保他们能够获得高质量的 SiC 衬底来支持他们的客户。此外，包括开关速度和成本在内的技术优势仍然是重要的一点。此外，SiC的重要性促使许多公司重新审视和投资晶圆技术，以制定符合需求的发展计划。有几种方法可以改善 SiC 器件的供应侧。这些范围包括使用更大直径的单晶晶片扩大制造规模，提高性能、缺陷率和产量。所有这些改进一起工作可以帮助满足对这些功率设备的预期需求的指数增长。

我们使用 SiC，比方说，从车载充电器开始，到 DC/DC，再到 AB 牵引。通常情况下，效率的提升是非常显着的。因此，我们谈论最多 7% 的几个单位和时间。但在故事的最后，特别是对于牵引力，它是关于范围的。因此，如果我们开始比较基于 IGBP 的解决方案和基于 SiC 的解决方案，我们就能够延长车辆的行驶里程。因此，我们每天在一级供应商和原始设备制造商中进行此练习，即使是 10%。当然，这取决于模型的能力。但现在 SiC 将提供高达 325、350 kW 的模型。节省的钱是巨大的。你看到两个马达。你可以看到每个机翼有一个电机。有时您甚至可以看到三个电机合二为一。当然，所有这些力量都需要最高效率;否则，这是一种巨大的能源浪费。

首先，让我们分为两类。一个是更多的市场需求，这当然会在最后产生价格。第二个更具技术性。因此，让我们首先快速了解市场需求。显然，今天讨论的是无能力。所以所有的球员，六名球员，我们都在市场上。岳父没有足够的能力来满足整个需求。这正在迅速改变。显然，生产投资非常高。Onsemi去年正式宣布9%的投资，现在甚至要15%的投资，大部分投向SiC。有趣的是，即使这个数字在增长，投资者对我们的股票感到满意，因为他们显然相信这项投资是值得的，并且会为公司带来收入和利润。所以市场需求在某个时候会得到更好的满足，在这个十年中期之后，我们肯定会看到这种意义上的改善。目前，稀缺显然将价格推高了。

如果我们继续技术方面，让我们关注两个要素。第一个是仪表，对，正如您所讨论的那样。我想听听我喜欢从一步到另一步需要多长时间，就像在硅中一样。再一次，宽带隙，你会看到这种加速非常宽。所以 200 毫米现在肯定在进行中，至少我可以谈论 onsemi。我们的首席执行官已经在股票分析师会议上宣布了这一点。我们将在 2025 年基本开始生产。我们已经拥有 GT Advanced 在收购时已经拥有的材料。现在当然，将其扩大到体积需要一些时间，因为挑战仍然存在，对吧?我们谈到了缺陷。缺陷有时会非常密集地进入晶圆的边缘。所以当然，你不想扩大规模，然后发现你的产量有很多缺陷。那是不可持续的。所以收益率决定了价格，对吗?

现在介绍第三点。我认为这也是定价的一个非常关键的因素。今天，我们都试图产生至少中等产量，超过 70% 的产量是更好的数字，可能会有更好的数字。一切还取决于模具的尺寸。让我们假设今天的 25 mm 2是一种市场标准，愿意进入我之前说过的那个领域。所以当你增加晶圆尺寸时，这个产量不应该下降。实际上，八英寸的产量应该差不多。因此，这是一项行动呼吁和一项挑战。

我认为另一方面，让我们也谈谈技术。所以几年前谁开始做市场的基本上都是过去了，他们做的是平面的。Onsemi 也开始平面化。我们已经跨越不同的位面世代发展。我们现在是第四代。平面提供了很多保护栅极结构的可能性，因为这是它们可靠性的关键要素之一。SiC 具有非常高的能量密度，接近和高电压密度。关闭您需要保护的大门。在沟槽结构中做到这一点非常困难。那么影响是什么?其他竞争者已决定很快进入战壕，但他们以活动面积为单位付出了代价。有源区是您用于传导的 SiC 区域。当然，当你想支付 25-mm 2SiC，你想拥有几乎 100%。假设一个现实的数字在 80% 到 90% 之间，甚至可能更高。而在过去用战壕做到这一点几乎是不可能的。所以如果你分析一些竞争芯片，你会发现一个非常低的活跃区域，今天可以做一些不同的事情，因为与此同时，该技术基本上可以实现沟槽的可能性。