台积电400亿美元建设美国3nm芯片厂：成本高出5倍

原本只计划在美国建设5nm芯片厂的台积电在去年底态度大变，对美国的投资大增，而且先进工艺也要转移出去，计划投资400亿美元建设3nm芯片厂。

据台积电所说，其亚利桑那州工厂将开始兴建第二期工程，预计于2026年开始生产3nm制程技术，该厂目前兴建中的第一期工程预计于2024年开始生产4nm制程技术(原计划是5nm)，两期工程总投资金额约为400亿美元。

台积电表示，除了帮助建设厂房地的1万多名建筑工人外，台积电亚利桑那州的两座晶圆厂预计将额外创造1万个高薪高科技工作岗位，其中包括4500个直接受雇于台积电的工作岗位。

然而台积电选择美国建厂不是没有代价的，在日前的说法会上，台积电CEO魏哲家承认，美国直接建厂的厂房成本发是台积电的四五倍，这不仅要归咎于美国的通胀及各种人工成本，还有各种许可证的额外成本，包括环境影响评估等等。

在美国建厂的成本原告于本土，但台积电表示将寻求各种方式来降低成本。