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[导读]ASML在最新的声明中指出,这些新的出口管制措施侧重于先进的芯片制造技术,包括最先进的沉积设备和浸润式光刻系统。

ASML在最新的声明中指出,这些新的出口管制措施侧重于先进的芯片制造技术,包括最先进的沉积设备和浸润式光刻系统。

ASML强调,新的出口管制措施并不针对所有浸润式光刻系统,而只涉及所谓“最先进”的浸润式光刻系统。截至目前企业尚未收到有关“最先进”的确切定义的信息,公司将其解读为在资本市场日会议上定义的“关键的浸润式光刻系统”,即TWINSCANNXT:2000i及后续推出的浸润式光刻系统。

所谓浸没式光刻机,属于193nm(光源)光刻机(分为干式和浸没式),可以被用于16nm至7nm先进制程芯片的制造,但是目前也有被业界广泛应用在45nm及以下的成熟制程当中。

ASML公司官网信息显示,该公司主流的DUV光刻机产品共有三款设备:TWINSCAN NXT:1980Di,TWINSCAN NXT:2000i和TWINSCAN NXT:2050i,其中2000i和2050i两款是公司在声明所指的产品。

ASML官网上关于这一台TWINSCAN NXT:1980Di的介绍,其中在分辨率方面,写到是大于等于38nm,而这是指一次曝光的分辨率,事实上光刻机是可以进行多次曝光的。

理论上NXT:1980Di依然可以达到7nm,只是步骤更为复杂,成本更高,良率可能也会有损失,晶圆厂用这一台光刻机,大多是生产14nm及以上工艺的芯片,很少去生产14nm以下的工艺,因为良率低,成本高,没什么竞争力。

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