ASML加大中国市场开拓：7nm高端DUV光刻机可出口

4月18日消息，据台系设备厂商透露，ASML近期由于客户大砍资本支出、缩减订单，最重要是大客户台积电也大砍逾4成EUV设备订单及延后拉货时间，2024全年业绩将明显承压。

受此消息影响，ASML股价出现了下跌，而对于接下来的发展，其也将会保证中国市场的订单。

ASML预计2023年在中国的销售额将保持在22亿欧元左右(约合人民币超162亿元)，其正在加快拓展在中国的业务和销售。

在这之前，ASML强调，新的出口管制措施并不针对所有浸润式光刻系统，而只涉及所谓“最先进”的浸润式光刻系统。截至目前企业尚未收到有关“最先进”的确切定义的信息，公司将其解读为在资本市场日会议上定义的“关键的浸润式光刻系统”，即TWINSCANNXT：2000i及后续推出的浸润式光刻系统。

所谓浸没式光刻机，属于193nm(光源)光刻机(分为干式和浸没式)，可以被用于16nm至7nm先进制程芯片的制造，但是目前也有被业界广泛应用在45nm及以下的成熟制程当中。

ASML公司官网信息显示，该公司主流的DUV光刻机产品共有三款设备：TWINSCAN NXT：1980Di，TWINSCAN NXT：2000i和TWINSCAN NXT：2050i，其中2000i和2050i两款是公司在声明所指的产品。

ASML官网上关于这一台TWINSCAN NXT:1980Di的介绍，其中在分辨率方面，写到是大于等于38nm(可以支持到7nm左右)，而这是指一次曝光的分辨率，事实上光刻机是可以进行多次曝光的。

理论上NXT:1980Di依然可以达到7nm，只是步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失，晶圆厂用这一台光刻机，大多是生产14nm及以上工艺的芯片，很少去生产14nm以下的工艺，因为良率低，成本高，没什么竞争力。