核心部件100%国产化！这台国产晶圆设备达成~

近日业内消息，国内一家半导体公司制造出了第一台核心部件 100% 国产化的高端晶圆激光切割设备。

晶圆切割就是将硅晶圆切割成单个芯片的过程，因为晶圆上刻好的电路非常精密，所以在切割的过程中需要极高的精度，也就是说晶圆切割工艺对设备的要求极高。

我们可以简单地从芯片制造的过程来体会晶圆切割的在其中的角色。

上游材料厂从最开始的晶体硅锭加工到晶圆片，然后通过抛光等步骤将晶圆厂需要的晶圆材料准备好。

收到晶圆片后代工厂还需经过湿洗等步骤完成光刻准备工作，先通过光刻机在晶圆上打印特定的电路图，然后通过离子注入改变其导电特性，接下来就是蚀刻电镀等步骤完成加工，最后将晶圆表面清理干净并对其做电气测试和性能分类。

上述一切就绪后就到晶圆切割了，分离出单个芯片，然后就将分离出来的单个芯片进行封装。

晶圆切割有机械锯切、激光切割、晶圆划片以及等离子切割等，本次国内的这台 100% 核心部件国产化的晶圆切割设备就是激光切割。

据悉，该设备是由华工科技激光半导体产品黄伟团队制造出来的，并在半导体激光设备领域攻克多项中国第一。

由于晶圆材料质地硬且脆，一个 12 英寸的晶圆片会切出来成千上万颗芯片，晶圆切割和芯片分离无论采取机械或激光的方式，都会因物质接触和高速运动而产生热影响和崩边，从而影响芯片性能。

因此，控制热影响的扩散范围和崩边尺寸是晶圆切割设备要突破的关键性问题。

黄伟表示，机械锯切的热影响和崩边宽度约 20μm，传统激光切割也在 10μm左右，而且切割线宽的减少会兼容经济高效的高集成度晶圆片。

该团队从去年开始就展开了微纳米级激光加工的迭代升级和攻坚突破，最忙的阶段团队 20 多人两班倒、24 小时不停地轮流做测试实验和产品优化。

最后经过一年坚持不懈的奋斗，成功实现技术升级，新晶圆切割设备的热影响降为 0，崩边尺寸也降至 5μm 以内，切割线宽甚至可以做到 10μm 以内。

据悉，华工科技是脱胎于华中科技大学校企的上市公司，业务涵盖激光加工技术为重要支撑的智能制造装备、信息通信技术为重要支撑的光联接、无线联接，以敏感电子技术为重要支撑的传感器等。

该企业表示正在研发第三代半导体晶圆激光改质切割设备，计划今年 7 月推出新产品，同时也正在开发我国自主知识产权的第三代半导体晶圆激光退火设备。

“激光技术的应用是没有边界的，有很多未知的领域，需要大胆探索，” 该团队负责人黄伟表示：“发展无止境，突破无止境，我们有信心让中国的激光装备在更多的细分领域达到国际领先水平。”

注：图片来自华工科技