SDRAM、SRAM与DRAM这几种内存的区别是什么？

SRAM ： 静态RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU内部的cache，都是静态RAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。

DRAM： 动态RAM，需要刷新，容量大。

SDRAM ：同步动态RAM，需要刷新，速度较快，容量大。

DDR SDRAM： 双通道同步动态RAM，需要刷新，速度快，容量大。

具体解释一：

什么是DRAM

DRAM 的英文全称是'Dynamic RAM'，翻译成中文就是'动态随机存储器'。DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM的容量。

什么是SRAM

SRAM 的英文全称是'Static RAM'，翻译成中文就是'静态随机存储器'。SRAM主要用于制造Cache。

什么是SDRAM

SDRAM 的英文全称是'Synchronous DRAM'，翻译成中文就是'扩充数据输出内存'，它比一般DRAM和EDO RAM速度都快，它已经逐渐成为PC机的标准内存配置。

什么是Cache

Cache 的英文原意是'储藏'，它一般使用SRAM制造，它与CPU之间交换数据的速度高于DRAM，所以被称作'高速缓冲存储器'，简称为'高速缓存'。由于CPU的信息处理速度常常超过其它部件的信息传递速度，所以使用一般的DRAM来作为信息存储器常常使CPU处于等待状态，造成资源的浪费。Cache就是为了解决这个问题而诞生的。在操作系统启动以后，CPU就把DRAM中经常被调用的一些系统信息暂时储存在Cache里面，以后当CPU需要调用这些信息时，首先到Cache里去找，如果找到了，就直接从Cache里读取，这样利用Cache的高速性能就可以节省很多时间。大多数CPU在自身中集成了一定量的Cache，一般被称作'一级缓存'或'内置Cache'。这部分存储器与CPU的信息交换速度是最快的，但容量较小。大多数主板上也集成了Cache，一般被称作'二级缓存'或'外置Cache'，比内置Cache容量大些，一般可达到256K，现在有的主板已经使用了512K～2M的高速缓存。在最新的Pentium二代CPU内部，已经集成了一级缓存和二级缓存，那时主板上的Cache就只能叫作'三级缓存'了。

什么是闪存

闪存 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻译成中文就是'闪动的存储器'，通常把它称作'快闪存储器'，简称'闪存'。这种存储器可以直接通过调节主板上的电压来对BIOS进行升级操作。

解释为什么dram要刷新，sram不需要：

这个是由于ram的设计类型决定的，dram用了一个t和一个rc电路，导致电容毁漏电和缓慢放电。所以需要经常的刷新来保持数据

具体解释二：

DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。 而且是行列地址复用的，许多都有页模式。

SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。

SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。

DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。SDRAM虽然工作频率高，但是实际吞吐率要打折扣。以PC133为例，它的时钟周期是7.5ns，当CAS latency=2 时，它需要12个周期完成8个突发读操作，10个周期完成8个突发写操作。不过，如果以交替方式访问Bank，SDRAM可以在每个周期完成一个读写操作(当然除去刷新操作)。其实现在的主流高速存储器是SSRAM(同步SRAM)和SDRAM(同步DRAM)。目前可以方便买到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz;可以方便买到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。

SRAM是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM(DRAM)不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。 然后，我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。

SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。

1.sdram和sram的区别

SDRAM是同步动态随机存取存储器的缩写，而SRAM是同步随机存取存储器的缩写。它们的最大区别在于，SDRAM必须被外部时钟同步刷新，而SRAM则不需要刷新。

虽然SRAM速度更快，读写时间也更短，但SRAM的成本较高，所以在存储器容量较小的情况下，通常使用SRAM，而对于大容量存储器，则使用SDRAM。

2.sdram和dram的主要区别

DRAM是动态随机存取存储器的缩写，与SDRAM的最大区别在于，在DRAM中必须定期刷新电容，否则数据就会丢失。而SDRAM拥有内置的刷新机制，无需外部干预。

此外，由于DRAM的内部结构不同，访问速度比SDRAM慢得多。尽管如此，DRAM仍然是一种流行的内存类型，主要是因为它的成本比SDRAM更低，而且能够满足许多基本应用程序的需求。

RAM是指通过指令可以随机的、个别的对各个存储单元进行访问的存储器，一般访问时间基本固定，而与存储单元地址无关。RAM的速度比较快，但其保存的信息需要电力支持，一旦丢失供电即数据消失，所以又叫易失性存储器，还有一种很有趣的叫法是"挥发性存储器"，当然这里"挥发"掉的是数据而不是物理上的芯片。

RAM又分动态存储器(DRAM，DYNAMIC RAM)和静态存储器(SRAM，STATIC RAM)。SRAM是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不断电，信息是不会丢失的，所以谓之静态;DRAM利用MOS (金属氧化物半导体)电容存储电荷来储存信息，大家都知道，电容是会漏电的，所以必须通过不停的给电容充电来维持信息，这个充电的过程叫再生或刷新(REFRESH)。由于电容的充放电是需要相对较长的时间的，DRAM的速度要慢于SRAM。但SRAM免刷新的优点需要较复杂的电路支持，如一个典型的SRAM的存储单元需要六个晶体管(三极管)构成，而DRAM的一个存储单元最初需要三个晶体管和一个电容，后来经过改进，就只需要一个晶体管和一个电容了。由此可见，DRAM的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。

(一) DRAM

DRAM就是我们常说的内存，这显然就是狭义的内存概念了。后面我们说的内存也是这个狭义的概念--DRAM。常见的DRAM有许多规格，如FPM DRAM 、EDO DRAM、BEDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、SLDRAM、RDRAM、DIRECT RDRAM等。

1. FPM DRAM(FAST PAGE MODE DRAM，快速页模式DRAM)

传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。FRM DRAM对此做了改进，在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。因此FPM DRAM的设计可以提高内存的传输速率。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。

2. EDO DRAM(EXTENDED DATA OUT DRAM，扩充数据输出DRAM)

传统的DRAM和FPM DRAM 在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据。而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO DRAM对FPM DRAM 的改进主要是缩短等待输出地址的时间。EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成，只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址，由此可以减小等待时间。从另一个角度说，EDO DRAM 在读写数据的同时进行下一地址的准备工作，提高了工作效率。后期的486系统开始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。

3. BEDO DRAM (BURST EDO DRAM ，突发式EDO DRAM)

BEDO DRAM是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取。BEDO 的主要加强之处是在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。BEDO DRAM可以一次存取一批数据而EDO DRAM只能存取一组数据，所以BEDO DRAM比EDO DRAM更快。但BEDO DRAM 在内存市场上只是昙花一现，只有很少的主板支持(如VIA APOLLO VP2)，很快就被DRAM替代了。

4. SDRAM(SYNCHRONOUS DRAM)

SDRAM 的最大特点就是可以与CPU的外频同步，可以取消等待周期，减少了数据传输的延迟。而此前的DRAM 都使用异步方式工作，由于没有与系统的外频同步，在存取数据时，系统必须等待若干时序才能接受和送出数据，如SDRAM可以使存储器控制器知道在哪一个时钟脉冲周期使数据请求使能，因此数据可在脉冲沿来到之前便开始传输，而EDO DRAM每隔2时钟才开始传输，FPM DRAM每隔3个时钟脉冲周期才开始传输，从而制约了传输率。当CPU的频率越来越高后，异步DRAM的数据传输率就成为系统的瓶颈，而且，随着频率的提高，异步DRAM与SDRAM的性能差距会越来越大。

对DRAM而言，除了容量，最重要的指标就是速度了。一般FPM DRAM和EDO DRAM的速度在0~70ns之间，SDRAM的速度在10 ns左右。由于SDRAM的工作速度与系统的外频保持一致，所以SDRAM的速度标识可以换算成工作频率，如100 ns的SDRAM的频率是1 s/10 ns=100 MHz，同理，8 ns的SDRAM的工作频率是125 MHz，12 ns的SDRAM 的工作频率是83 MHz，15ns的SDRAM的工作频率是66 MHz。由于目前流行的是PC100的SDRAM，读者在采购内存时绝大多数希望选购符合PC100规范的SDRAM。PC100规格非常复杂，我们应该了解的部分主要是内存条上应带SPD，内存工作频率为100 MHz时，CL应为2或3个clk，最好为2 clk，tAC必须不超过6 ns等。

除了以上PC100规范要求的一些性能指标外，一个真正的发烧友还应该关心一下SDRAM芯片其他几个很重要的指标：如芯片的输出位宽、功耗(电压)等，因为这些指标也决定了内存的超频潜力--给内存超频的时候还是很多的，即使不超频，性能好的内存也意味着更高的稳定裕度和更好的升级潜力。

(二) SRAM

SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存(cache).SRAM也有许多种，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,异步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM,管道突发SRAM)，还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。