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[导读]三星在去年12月发布了全球首款传输速率高达7.2Gbps的12nm级DDR5 DRAM内存芯片,今天,三星正式宣布已大规模量产12nmDDR5DRAM芯片。

三星在去年12月发布了全球首款传输速率高达7.2Gbps的12nm级DDR5 DRAM内存芯片,今天,三星正式宣布已大规模量产12nmDDR5DRAM芯片。

根据三星官方的说法,该12nm DDR5 DRAM芯片采用了新的高介电(high-k)材料,以增加电池电容,并进一步改善关键电路特性专利设计技术达成。结合先进的多层极紫外 (EUV) 光刻技术,新型 DRAM 具有业界最高的芯片密度,可将晶圆生产率提高 20%(即同样的一片晶圆,由于单个芯片尺寸缩小,因此可以多生产20%的芯片)。同时,该DRAM芯片传输速率高达7.2Gbps,并且能耗相比上一代的DRAM还要低23%。

三星表示,其12nm DDR5 DRAM凭借卓越的性能和能效,能够成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域可持续运营的基础。

三星电子最新推出的DRAM将以更高的能效和生产率,优化人工智能应用在内的下一代计算

深圳2023年5月18日/美通社/ -- 今日,三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺,再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。

"采用差异化的工艺技术,三星业内先进的12 纳米级DDR5 DRAM具备出色的性能和能效,"三星电子内存产品与技术执行副总裁Jooyoung Lee表示,"最新推出的DRAM反映了我们持续开拓DRAM市场的决心。这不仅意味着我们为满足计算市场对大规模数据处理的需求,提供高性能和高容量的产品,而且还将通过商业化的下一代解决方案,助力实现更高的生产力。"

与上一代产品相比,三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%,晶圆生产率提高了20%。出色的能效表现,使它能够成为全球IT企业的服务器和数据中心节能减排的优秀解决方案。

三星12纳米级工艺技术的开发基于一种新型高κ材料,这种新型材料有助于提高电池电容。高电容使数据信号出现明显的电位差,从而更易于准确地区分。同时,三星在降低工作电压和噪声方面的成果,也让此解决方案更加适用于客户公司的需求。

星电子再次展示了在DRAM领域的领导地位,宣布正式启动了12纳米工艺的16Gb DDR5 DRAM的大规模生产。这款新一代内存芯片采用差异化的工艺技术,具备出色的性能和电源效率。据三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jooyoung Lee介绍,通过使用一种新的高K材料,12纳米级DDR5 DRAM的开发取得了重大突破。新工艺使得晶体管栅极材料具备更高的电容,提高了状态准确区分的能力。此外,三星还通过降低工作电压和减少噪音的努力,为内存芯片提供了优化的解决方案。

据ITBEAR科技资讯了解,这次12纳米级DDR5 DRAM的首次使用将主要应用于数据中心、人工智能和下一代计算等领域,而PC用户则需要等待更长的时间。然而,这次生产的16Gb DDR5 DRAM具有诸多优势,包括降低了约23%的功耗和提高了20%的晶圆生产力。此外,新一代内存芯片的最大引脚速度可达7.2Gbps,进一步提升了性能。

此次12纳米工艺的推出标志着三星电子在内存领域的技术突破,不过值得注意的是,虽然这些内存IC在功耗、速度和晶圆经济等方面有所改进,但其容量仍然是16Gb,并没有在密度路线图上取得更大的突破。然而,随着12纳米级DDR5 DRAM的大规模生产,三星电子进一步巩固了在DRAM市场的领先地位,为数据中心和人工智能等领域的应用提供了更高性能和更低功耗的解决方案。

据韩国“每日经济新闻”英文版网站Pulse News引述业界知情人士指出,全球存储芯片龙头韩国三星电子计划改变先前“坚决不减产”的态度,考虑开始着手减产,业界高声欢呼,直言这是“拯救DRAM与NAND Flash市场的最关键行动”。

报道称,由于三星在全球DRAM与NAND Flash芯片市占率均高达45%以上,若三星能进行减产,不仅有利全球存储市场快速回温,也能让自身获利逐步回升,堪称一举多得,尤其时值整体半导体库存调整尚未结束,三星有庞大的获利压力,更需要存储业务协助,因此减产势在必行。

在此之前,美光在公布2023年3月2日的2023财年第二财季业绩后表示,终端市场的客户库存已经减少;排除库存减少的影响不计,美光认为资产负债表库存周转天数(DIO)已于2023会计年度第二季触顶、正接近过渡至营收季增阶段。美光还预计公司的数据中心营收已在2023会计年度第二季触底、第三季将开始恢复成长,数据中心客户库存应该会在2023年12月底达到相对健康水准。

随后SK海力士也表示,存储芯片市场需求将在2023年下半年复苏,虽然并不会减产,但是公司的资本支出将削减一半,也就是说今年的产能投资将会更加保守。

显然,如果此时存储大厂三星启动存储芯片减产,那么将有望可加速存储市场市况回暖。

不过,市场研究机构TrendForce日前发布报告示警称,即便第2季DRAM报价跌幅可望收窄至10%至15%,但整体均价下行周期仍不见终止,意味“价格还没跌完”。TrendForce认为,除相关厂商发动更大规模减产,后续合约价才有可能反转向上。

三星计划于4月7日公布本季财报,并举行财报说明会。市场密切关注该公司是否会维持之前坚持不人为减产的政策。市场预测,三星的半导体事业暨装置解决方案事业部(DS)今年营业损失可能超过10万亿韩元。此前,三星坚持没有人为减产的计画,不会直接缩减投入的晶圆,而是寻求芯片产量自然减少。

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