华为、哈工大联手：基于硅和金刚石的三维集成芯片专利公布

11月21日消息，据企查查显示，近日，华为技术有限公司、哈尔滨工业大学申请的“一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法”专利公布。

专利摘要显示，本发明涉及芯片制造技术领域。

该方法包括：制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品后进行等离子体活化处理;将经等离子体活化处理后Cu/SiO2混合键合样品浸泡于有机酸溶液中，清洗后吹干;

在吹干后的硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液，将硅基和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品对准贴合进行预键合，得到预键合芯片;将预键合芯片进行热压键合，退火处理，得到混合键合样品对。

本发明实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成。

据悉，该专利于2023年10月27日申请公布。受此影响，培育钻石概念涨幅已超16%。