日本尼康宣布全新ArF浸没式光刻机：精度小于2.1纳米

12月10日消息，尼康宣布，将于2024年1月正式推出ArF 193纳米浸没式光刻机“NSR-S636E”，生产效率、套刻精度都会有进一步提升。

据悉，尼康这款曝光机采用增强型iAS设计，可用于高精度测量、圆翘曲和畸变校正，重叠精度(MMO)更高，号称不超过2.1纳米。

分辨率小于38纳米，镜头孔径1.35，曝光面积为26x33毫米。

对比当前型号，它的整体生产效率可提高10-15%，创下尼康光刻设备的新高，每小时可生产280片晶圆，停机时间也更短。

尼康还表示，在不牺牲生产效率的前提下，新光刻机可在需要高重叠精度的半导体制造中提供更高的性能，尤其是先进逻辑和內存、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体制造，堪称最佳解决方案。

另据了解，新光刻机的光源技术是20世纪90年代就已经成熟的“i-line”，再加上相关零件、技术的成熟化，价格将比竞品便宜20-30%左右。

不过，目前尚不清楚尼康这款光刻机能制造多少纳米的芯片。