Microchip推出3.3 kV XIFM 即插即用mSiC™ 栅极驱动器 进一步扩展其mSiC 解决方案，加速高压SiC 电源模块采用

万物电气化推动了碳化硅 (SiC)技术在交通、电网和重型汽车等中高压应用领域的广泛采用。为了帮助开发人员部署SiC解决方案并快速推进开发流程，Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日推出采用Augmented Switching™ 专利技术的3.3 kV XIFM 即插即用mSiC™栅极驱动器。该驱动器采用预配置模块设置，开箱即用，可显著缩短设计和评估时间。

为了加快产品上市，这款即插即用的解决方案已经完成了栅极驱动器电路设计、测试和验证等复杂的开发工作。XIFM 数字栅极驱动器是一种结构紧凑的解决方案，具备数字控制、集成电源和可提高抗噪能力的坚固光纤接口。该栅极驱动器具有预配置的“开/关”栅极驱动曲线，可量身定制以优化模块性能。

它具有10.2 kV初级到次级强化隔离，内置监控和保护功能，包括温度和直流链路监控、欠压锁定(UVLO)、过压锁定(OVLO)、短路/过流保护(DESAT)和负温度系数 (NTC)。这款栅极驱动器还符合铁路应用的重要规范EN 50155标准。

Microchip碳化硅业务部副总裁Clayton Pillion表示：“随着碳化硅市场的不断发展和对更高电压极限的不断突破，Microchip推出3.3 kV即插即用mSiC栅极驱动器等交钥匙解决方案，使电源系统开发商更容易采用宽带隙技术。与传统模拟解决方案相比，该解决方案通过预配置栅极驱动电路，可将设计周期缩短 50%。”

Microchip在SiC器件和电源解决方案的开发、设计、制造和支持等方面拥有20多年的丰富经验，能够帮助客户轻松、快速、放心地采用SiC。Microchip的mSiC™产品可提供最低的系统成本、最快的上市时间和最低的风险。Microchip 的 mSiC™ 产品包括具有标准、修改和定制选项的 SiC MOSFET、二极管和栅极驱动器。