英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

【2024年6月13日，德国慕尼黑讯】在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于CoolSiC™ 第2代(G2)技术，在性能、可靠性和易用性方面均有显著提升，专门用于中高档开关模式电源(SMPS)，如AI服务器、可再生能源、电动汽车充电器、大型家用电器等。

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2组合1-1

该系列的Thin-TOLL封装外形尺寸为 8x8 mm，具有市场上同类产品中领先的板上热循环(TCoB)能力。TOLT 封装是一种顶部散热(TSC)封装，其外形尺寸与 TOLL相似。这两种封装都能为开发者带来诸多优势。例如，在AI和服务器电源装置(PSU)中采用这两种封装，可以减少子卡的厚度和长度并允许使用扁平散热器。微型逆变器、5G PSU、电视 PSU 和 SMPS通常采用对流冷却，Thin-TOLL 8x8封装用于这些应用时，可以更大程度地减少主板上电源装置所占的PCB面积。与此同时，TOLT还能控制设备的结温。此外，TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 750 V这一顶部散热CoolSiC™ 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。

供货情况

采用 ThinTOLL 8x8和TOLT封装的 650 V G2 CoolSiC™ MOSFET目前的RDS(on) 为20、40、50 和 60 mΩ。TOLT系列还推出了RDS(on) 为15 mΩ的型号。