防烧电路中的MOS管控制该如何设计？

防烧电路中的MOS管控制设计将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。

一、MOS管

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。

二、防烧电路中的MOS管控制设计

目前已有的防烧电路中的MOS管一个主要规格要求Vth低，当前使用的防烧MOS管Vth (Vgs=Vds，Id=250uA)小于1V。实际用1.8V的电压来控制，可以完全打开MOS管了。但是当前Vth小于1V的功率MOS 阻抗偏大 Id较小。

如果要使用阻抗更小 Id更大的功率MOS，Vth(Vgs=Vds，Id=250uA) 在2.5V左右，现在手机平台的GPIO是1.8V，未来还会进一步降低为1.2V。1.2V或者1.8V的电压就不足与控制现有防烧MOS以及功率更大的功率MOS。

实际上可以在原来防烧MOS的电路上，通过增加Vth较低的小信号MOS，来实现1.2V/1.8V 电压去控制打开Vth=2.5V 的功率MOS。原理介绍如下：

1、原防烧电路

原防烧功率MOS Vth较低，用1.8V完全可以控制打开。控制过程如下：

2、增加2个小信号NMOS管

通过增加2颗Vth较小(小于1.2V或1.8V)的NNOS，可以实现1.2V/1.8V的信号电平，来使能打开Vth>2.5V的功率MOS，其中3.4V来自于电池电压或者VBOB。控制过程如下：

GPIO=1.2V ，G1=1.2V，S1=0V， Vgs1=1.2V，NMOS1导通，D1=S1=G2=0V，NMOS2关闭，D2=G3=3.4V，防烧MOS G3=3.4V，防烧MOS Vgs=3.4V，防烧MOS管打开。

GPIO=0V ，NMOS G1=0V，S1=0V ，Vgs=0V，NMOS1关闭，D1=G2=G2=3.4V，NMOS2打开，D2=0V，Vgs=0V，防烧MOS G3=0V ，防烧MOS Vgs=0V，防烧MOS关闭。

3、增加一颗NMOS+一颗PMOS

通过增加2颗Vth较小(小于1.2V或1.8V)的NNOS和PMOS，可以实现1.2V/1.8V的信号电平，来使能打开Vth>2.5V的功率MOS，其中3.4V来自于电池电压或者VBOB。控制过程如下：

GPIO=1.2V ，NMOS G1=1.2V，S1=0V， Vgs1=1.2V，NMOS导通，D1=S1=G2=0V，S2=3.4V，Vgs2=-3.4VV ，PMOS导通，D2=S2=3.4V，防烧MOS G=3.4V，防烧MOS Vgs=3.4V，防烧MOS管打开。

GPIO=0V ，NMOS G1=0V，S1=0V ，Vgs=0V，NMOS关闭，D1=G2=S2=3.4V，D2=0V，Vgs=0V，PMOS关闭不导通，D2=0V，防烧MOS G=0V，Vgs=0V，防烧MOS关闭。

最后，小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读，对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。最后的最后，祝大家有个精彩的一天。