碳化硅双脉冲测试中正向干扰、负向干扰你知道吗？

以下内容中，小编将对碳化硅的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对碳化硅的了解，和小编一起来看看吧。

一、碳化硅是如何制造的

最简单的碳化硅制造方法包括在高达2500摄氏度的高温下熔化硅砂和碳，例如煤。较暗，更常见的碳化硅版本通常包括铁和碳杂质，但纯SiC晶体是无色的，当碳化硅在2700摄氏度升华时形成。一旦加热，这些晶体在较低的温度下沉积到石墨上，这个过程称为Lely方法。

Lely法：在此过程中，花岗岩坩埚通常通过感应加热到非常高的温度，以升华碳化硅粉末。温度较低的石墨棒悬浮在气态混合物中，这固有地允许纯碳化硅沉积并形成晶体。

化学气相沉积：或者，制造商使用化学气相沉积来生长立方碳化硅，化学气相沉积通常用于碳基合成工艺并用于半导体工业。在这种方法中，一种特殊的气体化学混合物进入真空环境并在沉积到基材上之前结合。

碳化硅晶圆生产的两种方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。

二、碳化硅双脉冲测试串扰问题解读

01、正向串扰

[t0~t1]

Q1开始开通，但门极电压未达到阈值电压，沟道还是处于关闭状态

[t1~t2]

当Q1的门极电压达到阈值电压之后，沟道开启，电流IL开始从D2换向Q1，这个过程在D2开始承受耐压为止。此时Q2门极回路的等效电路为

可见，V1决定了这个阶段Q2门极电压的变化趋势。

[t2~t3]

这个阶段D2承受反向电压，Q2电压开始上升，此时米勒效应产生的位移电流会在Q2门极产生压降，此阶段以Q1漏源极电压减小到导通压降为止。此时Q2门极回路的等效电路为

可见，V1决定了这个阶段Q2门极电压的变化趋势。

这个正向串扰电压有可能会超过Q2的阈值电压，导致其部分开通，从而导致上下直通的可能性。

[t3~t4]

这个阶段，Q1门极电压上升达到驱动电压，Q1完全开通。

02、负向串扰

[t5~t6]

Q1开始关断，但电压还未降低到米勒电压。

[t6~t7]

Q1的门极电压达到米勒电压，Q1的漏源极电压开始上升，Q2的漏源极电压开始下降，当Q2的漏源极电压跌到D2的导通电压时为止。此时Q2门极回路的等效电路为

在Q2门极产生的串扰电压和[t2~t3]阶段公式一样，但电压电流变化率不同。这个负向电压可能超过额定门极负压，对门极可靠性造成影响。

[t7~t8]

这个阶段，电流开始从Q2换向D2，直到Q1沟道关断，等效电路为

在Q2门极产生的串扰电压和[t1~t2]阶段公式一样，但电压电流变化率不同。

[t8~t9]

这个阶段，Q1门极电压下降到阈值电压以下，直到Q1完全关断。

以上大致阐述了串扰的产生机理，其中涉及到回路寄生参数以及电流电压变化率，所以相应的抑制措施一般都围绕这些展开。

以上就是小编这次想要和大家分享的内容，希望大家对本次分享的内容已经具有一定的了解。如果您想要看不同类别的文章，可以在网页顶部选择相应的频道哦。

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