TVS管的反向关断电压VRWM与最大工作电压关系
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一、TVS管的介绍
(1)TVS是干精细活的防护器件，主要应用于ESD、7637、浪涌等EOS的防护等;
(2)瞬态电压抑制具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力;
(3)不导通阶段--处于关断状态呈现高阻抗：电流变化很小，电压不断上升;
(4)导通阶段-浪涌冲击电压从高阻抗转变为地阻抗吸收浪涌功率：电压上升、电流上升;
(5)前卫阶段：电压上升缓慢、电流急剧上升;
(6)各类防护器件比较：
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二、TVS管的参数
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1、工作原理：
(1)0-Vrwm：TVS管与电路并联使用，在电路工作电压时TVS管处于关断呈现高阻抗;
(2)Vbr阶段：在浪涌电压的作用下，TVS管的电压有额定反向关断电压上升到击穿电压而被击穿;
(3)Vc阶段：随着击穿电流的出现，流过TVS管的电流将达到峰值脉冲电流，同时爱其两端的电压被前卫到预定的最大前卫电压以下;
(4)其后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS两极间的电压也不断下降，最后恢复到初态，这就是TVS管抑制可能出现的浪涌脉冲干扰，保护电路的过程。
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(5)TVS管相关参数
Vrwm：可承受电压，反向关断电压
Irwm：在工作电压下测得的流过TVS管的最大电流;---工作电压的静态功耗问题
Vbr：击穿电压：当IR达到1mA时的最大工作电压，此时TVS管的阻抗骤然降低，处于雪崩击穿转态;
VC：最大钳位电压：当TVS管承受瞬态高能量冲击时，管子中流过过大电流，峰值电流IPP，端电压有VBR上升到VC值就不在上升了，从而实现了保护作用;
Cj：结电容，信号端口需要考虑：测试条件是在1MHZ频率下测得的;
三、TVS管的选型
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1、TVS管的反向关断电压VRWM与最大工作电压关系如下：
直流供电：V RWM ≥V工作
交流供电：V RWM ≥V 工作 *1.414
2、浪涌测试的TVS管的选型----考虑温度降额
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3、TVS管的功率换算：
以TPSMB36A 为例
给的功率是在10/1000us的PPM功率，当测试ESD的测试时，ESD的测试脉冲波形为30ns，就是说找到对应的脉宽，与其对应的PPM，看是否符合要求;
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4、信号的TVS管结电容的选型
一定要注意传输信号频率或传输速率。当信号频率或传输速率较高时，营选用 低电容系列的关系，TVS管结电容容值限制与信号传输速率对应关系如图：
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工作的频率不能超过其对应的容值。
四、TVS管的应用
1、当低电容系列不满足要求时，应通过串联高速二极管组成的桥电路降低电容
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2、芯片ESD的防护
在信号接口进行浪涌或静电防护设计时，如果TVS的残压 过高，导致芯片不能承受时，可以在TVS后面信号上串联电阻进行，从而降低芯片上所到的残压
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当TVS管的钳位电压选择最小的型号，也不能满足芯片或IC的工作电压时：
(1)VRWM≥5V
(2)VC=VR+V芯片
3、在信号接口进行浪涌防护设计时，如果TVS功率不够时，可以采用前面加功率电阻(或者PTC)进行分压限流，从而降低TVS管上所承受瞬态能量。
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当TVS管的前端泄放电流很大时，TVS管无法承受时，可以在其前端增加功率电阻降低TVS管承受的IPP电流
(1)V/Rs>IPP电流时
(2)V/(Rs+R)来满足TVS管的IPP;
4、在信号接口进行浪涌防护设计时，如果雷电能量特别大时，这时可以采取压敏电阻+退耦电感+TVS管方式进行;
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UTVS管的残压+U电感≥u
U电感=L*di/dt i时0-IMAX t：V的上升时间
5、在电源接口进行浪涌防护设计时，如果雷电能量特别大时，这时可以采取压敏电阻+退耦电感+TVS管方式进行;
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UTVS管的残压+U 电感 ≥u压敏电阻的电压(大电流电压)
U 电感 =L*di/dt i时0-IMAX t：V的上升时间
五、PCB应用中的注意事项
1、防护器件靠近接口位置
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2、防护器件靠近接口位置，走线需要短，尤其是信号的ESD防护器件
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3、接口进行ESD防护设计，TVS管防护器件到信号走线以及GND的PCB走线需要尽可能地短，案例分析：
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图中看书TVS地两端已经是90V，如果TVS管的千位电压为10V，那施加在IC上的电压就是90+10=100V，此时就失去了TVS管的作用。
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4、其中雷击测试中，较为常见的PCB走线宽度：
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5、DC24V的端口防护：7637-5a
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6、232接口防护：
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7、USB3.0接口防护
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D3D4需要结电容很小;
8、POE接口
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D1与 V1共模对滴防护
差模防护：TVS5用作电源防护，后加压敏电阻(精细+粗略)
TVS1-TVS4在查分线上注意结电容的大小;
9、浪涌测试的TVS管的选型----考虑温度降额
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