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[导读]PN结二极管经常用来制作电开关。在正偏状态,即开态,很小的外加电压就能产生较大的电流;在反偏状态,即关态,只有很小的电流存在于PN结内。

PN结二极管经常用来制作电开关。在正偏状态,即开态,很小的外加电压就能产生较大的电流;在反偏状态,即关态,只有很小的电流存在于PN结内。

我们感兴趣的开关电路参数就是电路的开关速度。下面的内容会定性地讨论二极管的开关瞬态以及电荷的存储效应。在不经任何数学推导的情况下,简单给出描述开关时间的表达式。

二极管的作用

利用二极管正、反向电流相差悬殊这一特性,可以把二极管作开关使用。

当开关K打向A时,二极管处于正向,电流很大,相当于接有负载的外回路与电源相连的开关闭合,回路处于接通状态(开态);

当开关K打向B时,二极管处于反向,反向电流很小,相当于外回路的开关断开,回路处于断开状态(关态)。

V1为外加电源电压,VJ为二极管的正向压降,对硅管VJ约为0.7V,锗管VJ约为0.25V,RL为负载电阻。

在开态时,流过负载的稳态电流为I1:

通常VJ远小于V1,所以上式可近似写为:

在关态时,流过负载的电流就是二极管的反向电流IR。

接通过程中,二极管P区向N区输运大量空穴,N区向P区输运大量电子。随着时间的延长,N区内空穴和P区内电子不断增加,直到稳态时停止。

在稳态时,流入N区的空穴正好与N区内复合掉的空穴数目相等,流入P区的电子也正好与P区内复合掉的电子数目相等,达到动态平衡,流过P-N结的电流为一常数I1。

随着势垒区边界上的空穴和电子密度的增加,P-N结上的电压逐步上升,在稳态即为VJ。此时,二极管就工作在导通状态。

当某一时刻在外电路上加的正脉冲跳变为负脉冲时:

正向时积累在各区的大量少子要被反向偏置电压拉回到原来的区域,开始时的瞬间,流过P-N结的反向电流很大,经过一段时间后,原本积累的载流子一部分通过复合,一部分被拉回原来的区域,反向电流才恢复到正常情况下的反向漏电流值IR。

正向导通时少数载流子积累的现象称为电荷储存效应。二极管的反向恢复过程就是由于电荷储存所引起的。

反向电流保持不变的这段时间就称为储存时间ts。在ts之后,P-N结上的电流到达反向饱和电流IR,P-N结达到平衡。

定义流过P-N结的反向电流由I2下降到0.1 I2时所需的时间为下降时间tf。储存时间和下降时间之和为(ts+tf)称为P-N结的关断时间(即为反向恢复时间)。

反向恢复时间限制了二极管的开关速度:

如果脉冲持续时间比二极管反向恢复时间长得多,这时负脉冲能使二极管彻底关断,起到良好的开关作用;

如果脉冲持续时间和二极管的反向恢复时间差不多甚至更短的话,这时由于反向恢复过程的影响,负脉冲不能使二极管关断。

所以要保持良好的开关作用,脉冲持续时间不能太短,也就意味着脉冲的重复频率不能太高,这就限制了开关的速度。

一、反向恢复过程

在图1所示的二极管电路中,加入一个如图2所示的输入电压。即在 0~ 时间内,输入为 ,二极管导通,电路中有电流流过。

假设二极管的正向压降为 ,当 远大于 时, 可忽略不计;如果在 时刻,输入 突然从 变为 ,在理想情况下,二极管将即刻变为截止状态,电路中只有很小的反向漏电流。

但在实际情况中,二极管并不会立即变为截止状态,而是先有正向的 变为一个很大的反向电流 ,这个反向电流会维持一段时间 后才开始逐渐下降,再经过 时间后,下降到一个很小的数值 ,这时二极管才会进入反向截止状态。该过程如图3所示。

一般将二极管从正向导通变为反向截止的过程成为反向恢复过程,其中 称为存储时间, 称为渡越时间, 称为反向恢复时间。

二极管的开关速度受到反向恢复时间的限制。

二、原因

产生上述现象的原因是由于电荷存储效应。

由于二极管外加正向电压 时,P 区的空穴向 N 区扩散,N 区的电子向 P 区扩散,不仅使得耗尽层变窄,而且使得载流子有相当数量的存储,在 P 区内存储了电子,在N 区内存储了空穴,它们都是非平衡少子。

空穴由 P 区扩散到 N 区后,并不是立即与 N 区中的电子复合后消失,而是在一定的路程(扩散长度)内,一方面继续扩散,一方面与电子复合消失,这样就会在范围内存储一定数量的空穴,并建立起一定的空穴浓度分布,靠近 PN 结边缘的浓度高,离 PN 结越远,浓度越小。

正向电流越大,存储的空穴数目越多,浓度分布的梯度也越大。电子扩散到 P 区的情况类似。

把正向导通时,非平衡少子积累的现象叫做电荷存储效应。

当输入电压突然由 变为 时, P 区存储的电子和 N 区存储的空穴不会马上消失,它们会通过以下两个途径逐渐减少:

在反向电场的作用下, P 区电子被拉回 N 区, N 区空穴被拉回 P 区,形成反向漂移电流 ;

与多数载流子复合消失。

在这些存储电荷消失之前,PN结仍处于正向偏置,即耗尽层仍然很窄,PN结的电阻仍然很小,与 相比可以忽略,所以此时反向电流IR=VR+VDRL

表示PN结两端的正向压降,一般有,即。在这段时间,基本上保持不变,主要由 和 决定。经过 时间后,P 区和 N 区所存储的电荷已显著减小,耗尽层逐渐变宽,反向电流 逐渐减小到正常反向饱和电流的数值,经过 时间后,二极管转为截止状态。

由上可知,二极管的反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间 短,则二极管在正、反方向都可以导通,起不到开关的作用。

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