你会设计电源防反接电路吗？大佬带你看线性稳压电源电路
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本文中，小编将对电源电路予以介绍，如果你想对电源电路的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
一、线性稳压电源电路
线性稳压电源电路有分离元件构成的稳压电源电路和集成电路构成的稳压电源电路两种。
1、分离元件式电源电路
典型的分离元件式线性稳压电源电路如图6-36所示。该电路的核心元器件是R2、RP、R3构成的误差取样电路，R4、VZ构成的基准电压电路以及误差放大管VT2。
当输入电压Ui升高或负载变轻，引起输出电压Uo升高后，该电压通过R2、RP、R3分压产生的取样电压升高，该电压加到VT2的基极，由于VT2的发射极电位不变，所以VT2导通加强，它的集电极电位下降，也就是使VT1的基极电位下降，致使VT1的输出电压下降到正常值。当输出电压Uo升高时，稳压控制过程相反。
2、集成电路式电源电路
集成电路式稳压器包括不可调和可调两种。第四章第三节介绍了不可调、可调集成稳压器内部电路的工作原理，下面介绍可调集成电路式稳压器的输出电压手动调整原理。典型的集成电路式线性稳压电源电路如图6-37所示。该电路的核心元器件是电位器RP、稳压器LM317。
调整电位器RP使LM317的ADJ端电压升高后，LM317的输出电压Uo就会升高，反之相反。
二、电源防反接电路
1、二极管防反接
描述：采用二极管进行保护，电路简单，成本低，占用空间少，但是二极管PN结在导通时，会存在一定的压降，一般在0.5V左右（主要根据选型的二极管参数决定）
2、采用NMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约是0.7V，而栅极G的电位为Vbat，MOS管的开启电压极为：Ugs=Vbat-Vs,栅极表现为高电平，NMOS的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过NMOS的DS接入形成回路，若电源接反，NMOS的导通电压为0，NMOS截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而形成保护。
3、采用PMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约为Vbat-0.7V，而栅极G的电位为0，MOS管的开启电压极为：Ugs-0=(Vbat-0.7),栅极表现为低电平，PMOS的DS导通，寄生二极管被短路，系统通过PMOS的ds接入形成回路，若电源接反，PMOS的导通电压大于0，PMOS截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而形成保护。
NMOS管将ds串到负极，PMOS管将ds串到正极，寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向；
MOS管的D极和S极的接入：通常使用N沟道的MOS管时，一般是电流由D极进入S极流出，P沟道的MOS管时,S极进入D极流出，应用在这个电路中时则正好相反，通过寄生二极管的导通来满足MOS管导通的电压条件，MOS管只要在G和S之间建立一个合适的电压就会完全导通，导通之后D和S之间就像是一个开关闭合了，电流是从D到S或S到D都一样的电阻。
在实际应用中，G极一般串接一个电阻，为了防止MOS管被击穿，也可以加上稳压二极管。并联在上面的电容，有一个软启动的作用，在电流开始流过的瞬间，电容充电，G极的电压逐步建立起来，如下图：
对于PMOS，相比NMOS导通需要Vgs大于阈值电压，由于其开启电压可以为0，DS之间的压差不大，比NMOS更具有优势。
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