高边NMOS如何设计防反？NMOS开关驱动电路分享

[导读]MOS管将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。

MOS管将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。

一、MOS管

MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

二、NMOS开关驱动电路

注：

Q5：一个NMOS管。

R25/100R 的作用：防止振荡减少栅极充电的峰值电压，保护NMOS管的D-S及不被击穿防止震荡，GPIO口输出端可能有些杂散的电感，在电压突变的情况下，可能会产生LC振荡，当我们加入R25之后，会提高阻尼减少振荡。

减少栅极充电的峰值电压，当栅极的电压拉高，首先对栅极的寄生电容进行充电，I=Q/t。充电的峰值电流可能大于GPIO的输出能力，为了保护IC,添加R25之后，可能有效的增长充电的时间，进而减小充电时候的电流。

从导通到截止状态，VDS电压迅速增加，如果dVDS/dt过大，可能会烧坏器件，R17的存在可以让栅极电容缓慢放电，从而保护mos管。

R26 10K的作用：

下拉型抗干扰电阻，GPIO输出状态下，在Nmos端，可以看出mos端处于一个高阻态或者悬浮的一个状态，为了避免意外打开mos管，加上了个10k下拉。

三、高边NMOS防反

PMOS的高边防反接使用自驱效应，但其存在待机电流偏大和电流反灌隐患，并且PMOS价格偏高，几乎没有使用驱动IC+PMOS高边防反这种设计，所以为了均衡价格因素和Rdson，消除待机电流偏大和电流反灌隐患（若单纯使用高边NMOS，也会有待机电流和电流反灌问题），使用驱动IC+NMOS这种高边防反接设计。但这里并不是否定低边NMOS防反和高边PMOS防反，实际上低边NMOS防反和高边PMOS防反使用的更多，驱动IC+NMOS这种方式一方面是为了应对测试机构的测试用例，一方面是应对可预见的实际问题。通常使用高边PMOS防反接并没有什么问题。

使用高边NMOS防反接，通常没有足够高的电压来驱动栅极，此时可以使用驱动IC来从高边取电，输出比S极更高的电压来驱动NMOS导通，驱动IC有两种：电荷泵型和Buck-Boost型，见图11-1。带驱动IC这种形式，虽然这增加了电路的复杂性，但N沟道MOSFET的导通电阻较低。

在大部分时间都处于正常连接供电场景中，由于电荷泵型和Buck-Boost型将额外消耗电流（需要不断地工作产生驱动电压维持NMOS的开启），单纯的高边PMOS防反接效率反而更好。