MOSFET的应用电路你都了解吗？MOSFET在什么应用条件要考虑雪崩能量？

一直以来，MOSFET都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来MOSFET的相关介绍，详细内容请看下文。

一、MOSFET的应用电路

1、简单的MOSFET开关电路

下图显示了 N 沟道 MOSFET 和 P 沟道 MOSFET 的最简单配置。

MOSFET 栅极通过电源电压快速充电，从而将其打开。但是，如果在打开 MOSFET 后不去管栅极会怎样呢？一旦电源从栅极移除，MOSFET 仍保持导通状态！

就像普通电容器一样，栅极会保留电荷，直到电荷被移除或通过非常小的栅极漏电流泄漏出去，为了消除这些电荷，必须对栅极进行放电。这可以通过将栅极连接回源极端子来完成。但是如果驱动电路使栅极保持浮动怎么办？如果杂散电荷在栅极中积累得足以使栅极电压超过阈值，则 MOSFET 会意外导通，这可能会损坏下游电路。因此，栅极和源极之间经常会出现 下拉/上拉电阻 ，每当栅极电压被移除时，该电阻就会从栅极移除电荷。最好添加一个上拉/下拉电阻无论驱动器的类型如何，MOSFET 的栅极之间都会存在这种情况。 10K 很值。

2、MOSFET栅极驱动和保护电路

MOSFET 的栅极非常敏感，因为将栅极与沟道绝缘的氧化层非常薄。大多数功率MOSFET的额定栅源电压仅为±20V！因此，在栅极上安装齐纳二极管是一个很好的预防措施

由于栅极电容与引线电感相结合会导致开关时产生振铃，可以通过添加与栅极串联的小电阻（约 10Ω）来减轻振铃。最终的 MOSFET 栅极电路如下图所示。

MOSFET 的栅极通常不会吸取任何电流（除了小漏电流外），但当用于需要快速打开和关闭的开关应用时，栅极电容必须快速充电和放电。这需要一些电流，在这些情况下，需要栅极驱动器，其可以采用分立电路、栅极驱动 IC或栅极驱动变压器的形式。

二、MOSFET在什么应用条件要考虑雪崩能量？

在实际的应用中，雪崩的损坏大多是因为多个极端边界条件共同的作用，例如：高温下，系统输出短路及过载测试，输入过电压测试以及动态的老化测试中。过压损坏通常直接理解为雪崩失效损坏，因为雪崩的过程伴随着过压的现象，只有那些在MOSFET的D和S极产生较大的电压尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量。

电压尖峰产生的能量主要由电感和电流所决定，对于反激应用，MOSFET关断时会产生较大的电压尖峰：VIN+输出反射电压+漏感，正常的情况下，有箝位电路，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，不会出现问题。

但是，在一些极端条件下，测试输出短路启动或工作中短路，然后短路保护起作用，系统关断，然后重起，如此反复，输出短路时，初级电感可能会饱和，产生较大的电流，箝位电路工作有可能不正常工作，漏感产生较大尖峰，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。

一些电机负载由于是感性负载，而且启动和堵转过程中产生极大的冲击电流，因此这样的应用也要考虑器件的雪崩能量。

以上所有内容便是小编此次为大家带来的有关MOSFET的所有介绍，如果你想了解更多有关它的内容，不妨在我们网站进行探索哦。