意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制

•到 2025 年，750V 和 1200V两个电压等级的产品将实现量产，将碳化硅更小、更高效的优势从高端电动汽车扩展到中型和紧凑车型。

•到 2027 年，ST 计划推出多项碳化硅技术创新，包括一项突破性创新。

2024年9月27日，中国– 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在 2027 年前推出更多先进的 SiC 技术创新成果，履行创新承诺。

意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS 和传感器产品部(APMS)总裁 Marco Cassis 表示：“意法半导体承诺为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。我们将继续在器件、先进封装和电源模块方面创新，推进 SiC MOSFET 技术发展。结合供应链垂直整合制造战略，我们通过提供行业前沿的 SiC 技术、打造富有韧性的供应链，以满足客户日益增长的需求，并为更可持续的未来做出贡献。”

作为 SiC 功率 MOSFET 的市场领跑者，意法半导体正在进一步推进技术创新，以充分利用 SiC能效和功率密度比硅基器件更高的优点。最新一代 SiC 器件旨在改善未来电动汽车电驱逆变器平台，进一步释放小型化和节能潜力。尽管电动汽车市场不断增长，但要实现广泛应用仍面临挑战，汽车制造商正在探索推出普通消费者都能买得起的电动汽车。基于 SiC 的 800V电动汽车平台电驱系统实现了更快的充电速度，降低了电动汽车的重量，有助于汽车制造商生产续航里程更长的高端车型。意法半导体的新 SiC MOSFET 产品有750V 和 1200V两个电压等级，能够分别提高 400V 和 800V 电动汽车平台电驱逆变器的能效和性能。中型和紧凑车型是两个重要的汽车细分市场。将 SiC的技术优势下探到这两个市场，有助于让电动汽车被普罗大众接受。除了电车外，新一代SiC技术还适用于各种大功率工业设备，包括太阳能逆变器、储能解决方案和数据中心等日益增长的应用，帮助其显著提高能源效率。